1、一种气体传感器，其组成为：硅基片(1)的背面制作有一杯状空腔(2)，杯状空腔(2)的顶部为硅应变膜片(3)；硅应变膜片(3)中分布有四个应变电阻(5、6、7、8)并相连构成惠斯通电桥；惠斯通电桥的四个应变电阻(5、6、7、8)的位置分布应使：硅应变膜片(3)没有应变时，惠斯通电桥平衡，硅应变膜片(3)有应变时，惠斯通电桥失衡；硅应变膜片(3)的上表面附着有能够吸收被测气体并发生膨胀形变的聚合物薄膜(4)。

2、 根据权利要求l所述的一种气体传感器，其特征在于：所述的杯状空腔 用MEMS技术制造。

3、 根据权利要求1所述的一种气体传感器，其特征在于：所述的硅应变膜 片（3)的形状是圆形、正方形或矩形中的任一种。

4、 根据权利要求1所述的一种气体传感器，其特征在于：所述的应变电阻 (5、 6、 7、 8)用扩散法或离子注入法制作。

5、 一种气体传感器阵列，其组成为：一块芯片上同时集成两个或两个以上的气体传感器单元，每个气体传感器 单元的构成为：硅基片（1)的背面制作有一杯状空腔（2)，杯状空腔（2)的 顶部为硅应变膜片（3); -圭应变膜片（3)中分布有四个应变电阻（5、 6、 7、 8)并 相连构成惠斯通电桥；惠斯通电桥中的四个应变电阻（5、 6、 7、 8)的位置分 布应使：硅应变膜片（3)没有应变时，惠斯通电桥平衡，硅应变膜片（3)有应变 时，惠斯通电桥失衡；硅应变膜片（3)的上表面附着有能够吸收被测气体并发生 膨胀形变的聚合物薄膜（4);不同的气体传感器单元上附着不同的聚合物薄膜 (4)。

6、 根据权利要求5所述的一种气体传感器阵列，其特征在于：所述的杯状 空腔用MEMS技术制造。

7、 根据权利要求5所述的一种气体传感器阵列，其特征在于：所述的硅应 变膜片（3)的形状是圆形、正方形或矩形中的任一种。

8、 根据权利要求5所述的一种气体传感器阵列，其特征在于：所述的应变 电阻（5、 6、 7、 8)用扩散法或离子注入法制成。