1、一种气体传感器，其组成为：硅基片(1)的背面制作有一杯状空腔(2)， 杯状空腔(2)的顶部为硅应变膜片(3)；硅应变膜片(3)中分布有四个应变电 阻(5、6、7、8)并相连构成惠斯通电桥；惠斯通电桥的四个应变电阻(5、6、7、 8)的位置分布应使：硅应变膜片(3)没有应变时，惠斯通电桥平衡，硅应变膜 片(3)有应变时，惠斯通电桥失衡；硅应变膜片(3)的上表面附着有对被测气体 敏感的聚合物薄膜(4)。

2、根据权利要求1所述的一种气体传感器，其特征在于：所述的杯状空腔 用MEMS技术制造。

3、根据权利要求1所述的一种气体传感器，其特征在于：所述的硅应变膜 片(3)的形状是圆形、正方形或矩形中的任一种。

4、根据权利要求1所述的一种气体传感器，其特征在于：所述的应变电阻 (5、6、7、8)用扩散法或离子注入法制作。

5、一种气体传感器阵列，其组成为：

一块芯片上同时集成两个或两个以上的气体传感器单元，每个气体传感器 单元的构成为：硅基片(1)的背面制作有一杯状空腔(2)，杯状空腔(2)的 顶部为硅应变膜片(3)；硅应变膜片(3)中分布有四个应变电阻(5、6、7、8)并 相连构成惠斯通电桥；惠斯通电桥中的四个应变电阻(5、6、7、8)的位置分 布应使：硅应变薄膜(3)没有应变时，惠斯通电桥平衡，硅应变薄膜(3)有应变 时，惠斯通电桥失衡；硅应变膜片(3)的上表面附着有对被测气体敏感的聚合物 薄膜(4)；不同的气体传感器单元上附着不同的聚合物薄膜(4)。

6、根据权利要求4所述的一种气体传感器阵列，其特征在于：所述的杯状 空腔用MEMS技术制造。

7、根据权利要求4所述的一种气体传感器阵列，其特征在于：所述的硅应 变膜片(3)的形状是圆形、正方形或矩形中的任一种。

8、根据权利要求4所述的一种气体传感器，其特征在于：所述的应变电阻 (5、6、7、8)用扩散法或离子注入法制成。