1.一种多晶硅的还原生产工艺，包括以下步骤：(1)将提纯后的SiHCI3与H2混合，然后从底部进气口喷入还原炉再从出气口排出；

(2)在还原炉的外壳夹套中同时通以冷却水；

(3)保持硅棒温度为1050～1150℃，器内压力为0.5～0.7Mpa；

(4)在这一过程中，混合气体与固定在电极上的硅棒接触，SiHCI3还原后的硅沉积在硅棒上；

其特征在于SiHCI3与H2的混合气体下进上出，即从还原炉的底部进气口喷入，再从其顶部的出气口排出，出气口的气体温度为550℃±20℃。

2.按照权利要求1所述的多晶硅的还原生产工艺，其特征在于出气口的气体有一路通过管路和文丘里管再次引入进气中进入循环。