1、一种用熔渗法制备单畴钆钡铜氧超导块材的方法，其特征在于他是由下述 步骤组成：(1)配制Gd2BaCuO5先驱粉

将Gd2O3与BaCO3、CuO粉按摩尔比为1∶1∶1的比例混合，用固态反应法制成 Gd2BaCuO5粉，取Gd2BaCuO5粉加入到球磨机，添加Gd2BaCuO5粉质量1％～2％的 CeO2粉，混合均匀，制备成Gd2BaCuO5先驱粉；

(2)配制液相源粉

将BaCO3与CuO粉按摩尔比为1∶1混合，用固态反应法制成BaCuO2粉，将 Gd2BaCuO5先驱粉与BaCuO2粉、CuO粉按摩尔比为1∶9∶6混合均匀，作为液相源 粉；

(3)压制Gd2BaCuO5先驱块和液相块

取Gd2BaCuO5先驱粉、液相源粉，分别压制成等直径厚度为8～12mm的 Gd2BaCuO5先驱块和液相块，所用材料液相源粉与Gd2BaCuO5先驱粉的质量比为1∶ 0.95～1.15；

(4)压制支撑块

将Yb2O3粉压制成与Gd2BaCuO5先驱块和液相块直径相同、厚度为1～2mm的坯 块；

(5)装配先驱块

液相块放在支撑块的正上方，Gd2BaCuO5先驱块放在液相块的上方，再整体放 在3～10个等高的MgO单晶上，MgO单晶放置在一块圆形的Al2O3垫片上，将一块钕 钡铜氧籽晶置于Gd2BaCuO5先驱块的表面中心；

(6)熔渗生长单畴钆钡铜氧块材

将装配好的先驱块放入管式炉中，以每小时80～120℃的升温速率升温至800～ 900℃，再以每小时40～60℃的升温速率升温至1050～1060℃，保温0.5～2小时，再 以每小时60℃的降温速率降温至1040～1030℃，以每小时0.1～0.5℃的降温速率慢 冷至1020～1010℃，随炉自然冷却至室温，得到单畴钆钡铜氧块材；

(7)渗氧处理

将单畴钆钡铜氧块材置入石英管式炉中，在流通氧气气氛中，450～350℃的温 区中慢冷200小时，得到单畴钆钡铜氧超导块材。

2、按照权利要求1所述的用熔渗法制备单畴钆钡铜氧超导块材的方法，其特征 在于：在本发明的配制Gd2BaCuO5先驱粉步骤(1)中，取Gd2BaCuO5粉加入到球磨 机，添加Gd2BaCuO5粉质量2％的CeO2粉，混合均匀，制备成Gd2BaCuO5先驱粉；在 压制Gd2BaCuO5先驱块和液相块步骤(3)中，液相源粉与Gd2BaCuO5先驱粉的质量 比为1∶1.09；在熔渗生长单畴钆钡铜氧块材步骤(6)中，将装配好的先驱块放入 管式炉中，以每小时100℃的升温速率升温至850℃，再以每小时50℃的升温速率升 温至1055℃，保温1小时，以每小时60℃的降温速率降温至1035℃，再以每小时0.3℃ 的降温速率慢冷至1015℃，随炉自然冷却至室温，得到单畴钆钡铜氧块材。