1.一种n型纳米金刚石薄膜的制备方法，包括：(1)在单晶硅衬底上制备纳米金刚石薄膜；(2)采用离子注入方法，在纳米金刚石薄膜中注入施主杂质离子；所述施主杂质离子为

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磷或氧，注入剂量为10 ～10 cm 、注入能量为90～100keV；(3)将离子注入后的薄膜真空退火，退火温度为700～1000℃，即得所述n型纳米金刚石薄膜。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于所述步骤(1)的制备方法如下：采用化学气相沉积设备，以丙酮为碳源，采用氢气鼓泡方式将丙酮带入到反应室中，反应温度600～

700℃、反应时间5～6小时，制备得到厚度为3～4μm的纳米金刚石薄膜。

3.一种采用如权利要求1所述的方法制备的n型纳米金刚石薄膜，由纳米金刚石薄膜中注入施主杂质离子得到，其特征在于所述施主杂质离子同时存在于纳米金刚石薄膜的纳米金刚石晶粒和非晶碳晶界中；纳米金刚石晶粒和晶界为薄膜提供n型电导；所述施主杂质离子为磷离子或氧离子。

4.如权利要求3所述的n型纳米金刚石薄膜，其特征在于：所述施主杂质离子在薄膜

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中的浓度为10 ～10 cm 。