1.一种基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器，其特征在于：由下电极、阻变转换层和上电极构成，阻变转换层为改性的PN型氧化物叠层结构，P/N型氧化物叠层厚度＜200nm，掺杂浓度＜5at.％。

2.一种如权利要求1所述基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器的制备方法，其特征在于步骤如下：

1)首先采用常规方法在衬底基片上制备下电极；

2)在下电极上制备N型氧化物阻变转换层；

3)在N型氧化物阻变转换层上制备P型氧化物阻变转换层；

4)将制备的P/N型氧化物叠层结构在惰性气氛或真空气氛下退火；

5)最后在P/N型氧化物叠层结构的阻变转换层上采用常规方法制备上电极并在上电极上生长一层常规钝化层。

3.根据权利要求2所述基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述P/N型氧化物叠层结构的制备方法为直流溅射或射频溅射，工艺条件为：本底真-4空度＜10 Pa、衬底温度为室温-200℃、工作气压为0.5-2Pa、溅射时间为1-10min，在O2和Ar混合气体中氧分压为5％-30％、溅射功率为50-250W。

4.根据权利要求2所述基于P/N型氧化物叠层结构的阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述P/N型氧化物叠层结构在惰性气氛或真空气氛下退火的工艺条件：退火温度为

200-800℃、退火时间为1-120min。