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专利号: 2011100403102
申请人: 浙江工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 核物理;核工程
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种SU-8材料镶嵌式二维聚焦X射线组合折射透镜的制作方法,其特征在于:所述制作方法包括以下步骤:(1)所述SU-8材料镶嵌式二维聚焦X射线组合折射透镜的母镜的制作步骤:(A)用电子束刻蚀技术制作玻璃基底金属铬材料的母镜的光刻掩模版,所述母镜的光刻掩模版由多个顺序间隔同轴排布的第一圆孔和正方形孔组成,所述正方形孔共有N个,所述第一圆孔直径为φ,所述正方形孔的边长为L+δ;

(B)对玻璃基板进行清洁处理;

(C)在经步骤(B)处理的玻璃基板表面自旋涂覆一层厚度为L的SU-8光刻胶;

(D)对涂覆好的SU-8光刻胶依次进行曝光、显影和坚膜,使用步骤(A)制成的母镜的光刻掩模版,制成镶嵌式二维聚焦X射线组合折射透镜的母镜;

(2)所述SU-8材料镶嵌式二维聚焦X射线组合折射透镜的子镜的制作步骤:(E)用电子束刻蚀技术制作玻璃基底金属铬材料的子镜的光刻掩模版,所述子镜的光刻掩模版包括夹持臂和布置在夹持臂上的多个同轴排布的正方形嵌入镜体,所述正方形嵌入镜体共有N个,与所述母镜的正方形孔个数相同,所述正方形嵌入镜体中有第二圆孔,所述第二圆孔直径为φ,第二圆孔的圆心与所述正方形嵌入镜体的中心重合,所述正方形嵌入镜体的边长为L,所述正方形嵌入镜体与所述夹持臂为一体,所述夹持臂的厚度为t;

(F)对硅片衬底进行清洁处理;

(G)在经步骤(F)处理的硅片衬底表面自旋涂覆一层BP212光刻胶,并进行前烘;

(H)在经步骤(G)处理的样片表面生长一层200-300纳米的金属铜薄膜;

(I)在经步骤(H)处理的样片表面自旋涂覆一层厚度为L的SU-8光刻胶;

(J)对涂覆好的SU-8光刻胶依次进行曝光、显影和坚膜,使用步骤(E)制成的子镜的光刻掩模版;

(K)使用BP212光刻胶去胶剂去除BP212光刻胶,同时去掉硅片衬底;

(L)使用化学腐蚀铜的方法去除铜薄膜,制成镶嵌式二维聚焦X射线组合折射透镜的子镜;

(3)所述SU-8材料镶嵌式二维聚焦X射线组合折射透镜的组装步骤:(M)将制成的母镜和子镜置于显微镜下,发现并夹住子镜的夹持臂,将子镜的嵌入镜体对准母镜的正方形孔,子镜上的N个嵌入镜体与母镜上的N个正方形孔一一对应,嵌入并轻轻压紧,完成镶嵌式二维聚焦X射线组合折射透镜的制作。

2.如权利要求1所述的SU-8材料镶嵌式二维聚焦X射线组合折射透镜的制作方法,其特征在于:所述步骤(A)中,所述第一圆孔的圆心与正方形孔的中心之间的距离为L,所述步骤(E)中,所述两个正方形嵌入镜体之间的距离为L。

3.如权利要求1或2所述的SU-8材料镶嵌式二维聚焦X射线组合折射透镜的制作方法,其特征在于:所述φ的范围为40微米到240微米,L的范围为50微米到250微米,δ的范围为1微米到2微米,N的范围为20到100个,t的范围为50微米到100微米。