1.一种超晶格量子阱太阳电池的制备方法，所述超晶格量子阱太阳电池，按入射光线+ +

的方向依次包括玻璃衬底、TCO透明电极、p 欧姆接触层、p层、n层、n 欧姆接触层和ZnO/Al背电极，在p层和n层之间沉积有nc-Si:H/SiNx超晶格量子阱，nc-Si:H和SiNx的厚度通过控制薄膜生长时间进行控制，每层nc-Si:H或SiNx的厚度控制在9±0.5nm，量子阱周期为45±5；其制备方法包括在玻璃衬底上成绒面结构的步骤、制备TCO透明电极的步骤、+利用等离子化学气相沉积技术制备p 欧姆接触层，p层的步骤、利用等离子化学气相沉积+

技术制备n层，n 欧姆接触层的步骤、利用溅射技术制备ZnO/Al背电极的步骤和进行太阳电池板刻蚀和封装的步骤，其特征在于：在制备p层之后和制备n层之前，利用等离子化学气相沉积技术逐层交替制备nc-Si:H/SiNx超晶格量子阱；所用沉积条件：本底真空在-4 o

1.6×10 Pa，射频功率为50～250W，频率为13.56MHz，，沉积温度在280 C，直流偏压为

200V，反应压强为200Pa，通过固定直流偏压200V，控制nc-Si:H的晶粒大小在2~3nm；通过调节射频功率50W~250W控制nc-Si:H晶态成分，制备光学带隙由入射光线的方向依次从大至小的量子阱材料，nc-Si:H和SiNx的厚度通过控制薄膜生长时间进行控制，每单层厚度控制在9±0.5nm，量子阱周期为45±5。