1.一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征是：首先在衬底上沉积一层SiO2或SiNx颗粒组成的颗粒层作为过渡层，然后在所述的过渡层上在700℃～1100℃下采用化学气相沉积技术沉积一层厚度为10微米～100微米的多晶硅薄膜，最后利用SiO2或SiNx颗粒层的疏松性分离多晶硅薄膜和衬底，清洗去掉粘附在多晶硅薄膜上的SiO2或SiNx颗粒后得到多晶硅薄膜；所述的SiO2或SiNx颗粒组成的颗粒层采用印刷、喷涂或者化学气相沉积的方法在衬底上沉积。

2.根据权利要求1所述的一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征是：所述的衬底材料为石英、多晶硅、单晶硅或石墨。

3.根据权利要求1所述的一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征是：利用化学气相沉积的方法沉积所述的SiO2颗粒层时，硅源气体是SiH4或者SiHCl3，氧源气体是O2。

4.根据权利要求1所述的一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征是：利用化学气相沉积的方法沉积所述的SiNx颗粒层时，硅源气体是SiH4或者SiHCl3，氮源气体是NH3。

5.根据权利要求1所述的一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征是：所述的多晶硅薄膜沉积所采用的气体为SiH4或者SiHCl3。

6.根据权利要求1所述的一种多晶硅薄膜的制备方法，其特征是：所述的多晶硅薄膜沉积过程中同时通入硼烷或磷烷，分别实现P型掺杂或N型掺杂。