1.一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法，首先，在p型晶体硅衬底上扩散制备PN结，使p型晶体硅衬底的上表面形成n型发射极表面，然后，在n型发射极表面制备氮化硅减反射层；接着，通过丝网印刷技术在p型导电背表面上印刷Al浆薄层，并在氮化硅减反射层表面丝网印刷Ag栅线薄层，之后采用传统高温烧结技术形成Al背场种子层及Ag栅线种子层；

或者，通过真空溅射或蒸镀技术在p型导电背表面上沉积Al薄层，并在氮化硅减反射层表面丝网印刷Ag栅线薄层，之后采用传统高温烧结技术形成Al背场种子层及Ag栅线种子层；

所述的Al背场种子层的厚度为100nm～1000nm，所述的Ag栅线种子层的厚度为

1μm～5μm；

最后，通过电镀工艺，在所述的Ag栅线种子层和Al背场种子层上电镀锡、铜或镍，用以加厚所述的Ag栅线种子层和Al背场种子层，形成金属电极。

2.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法，其特征是：所述的Ag栅线种子层的宽度为20μm～80μm。

3.根据权利要求1所述的一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法，其特征是：所述的Ag栅线种子层中，栅线间距为0.5mm～3mm。

4.根据权利要求1、2或3所述的一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法，其特征是：电镀后，栅线金属电极的厚度为10μm～30μm，Al背场金属电极的厚度为10μm～

30μm。