1.一种隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法，以p型晶体硅片或者n型晶体硅片为衬底，其特征是：采用PECVD技术，在沉积温度为0℃～200℃的条件下在清洗制绒后的p型晶体硅片的前表面沉积一层二氧化硅纳米颗粒膜，并在该二氧化硅纳米颗粒膜表面制备ITO薄膜作为前电极；或者，采用PECVD技术，在沉积温度为0℃～200℃的条件下，在清洗制绒后的n型晶体硅片的背表面沉积一层厚度为100～2000纳米的二氧化硅纳米颗粒膜，并在该二氧化硅纳米颗粒膜表面制备一层ITO薄膜作为背电极。

2.根据权利要求1所述的隧穿结晶体硅太阳能电池的制作方法，其特征是：在所述的n型晶体硅片背部ITO薄膜的表面继续通过溅射或蒸发工艺制备金属薄膜，完成电池制作。