1.一种十字电流型三轴矢量磁传感器制备方法，所述矢量磁传感器包括GaAs衬底（1）、两个基于RTD的竖直型电流霍尔器件（20）以及一个基于HEMT的水平型电流霍尔器件（19）；其特征在于：该矢量磁传感器的制备方法包括如下步骤：（一）在超真空环境下，应用分子束外延技术在GaAs衬底（1）上依次生长如下表1所示参数的HEMT薄膜材料、自停止腐蚀层、以及RTD薄膜材料；得到基片；

表1

（二）、在基片上涂一层光刻胶，利用光刻、刻蚀技术形成三个梯形RTD台面（2）；对其中两个梯形RTD台面（2）进行保护，采用气体SiCl4/SF6为3:1的干法刻蚀技术对第三个梯形RTD台面（2）进行腐蚀至HEMT薄膜材料，形成HEMT台面（9）；从而实现RTD和HEMT的单片集成，形成十字型电流的器件基础；

（三）两个基于RTD的竖直型电流霍尔器件的制备，对两个梯形RTD台面（2）均进行如下操作：步骤1：将RTD薄膜材料的集电极通过引线引到自停止腐蚀层上，在梯形RTD台面上表面的发射极上和自停止腐蚀层上均与引自RTD薄膜材料集电极的引线的连接处周围溅射厚度为350nm的以任意比例混合的金属合金Ni/Au/Ge/Ni/Au，接着对梯形RTD台面上表面的发射极上和自停止腐蚀层上与引自RTD薄膜材料集电极的引线的连接处周围的Ni/Au/Ge/Ni/Au金属合金层均采用淀积和剥离法进行处理，形成RTD欧姆接触层（3），然后在

460℃下且N2:H2为80:20的氮氢环境中退火30s；

步骤2：在基片上涂一层光刻胶，利用光刻、刻蚀技术形成发射极和集电极总台面（4）；

13 -3 +

步骤3：将浓度为10 cm 的B 注入发射极和集电极总台面（4）使发射极和集电极总台面（4）与自停止腐蚀层隔离；

步骤4：在发射极和集电极总台面（4）的两侧利用等离子淀积台淀积一层Si3N4钝化层，形成隔离绝缘层（5）；

步骤5：霍尔检测电极的制备：在基片上涂一层光刻胶，利用光刻、刻蚀技术在梯形RTD台面结构的前后面上均开一个小窗口，利用溅射技术溅射一层以任意比例混合的Au/Ge/Ni合金覆盖小窗口，形成RTD欧姆接触区（6）；使用引线连接技术将RTD欧姆接触区（6）与自停止腐蚀层连接，使自停止腐蚀层上形成RTD外界引线焊盘区（15）；

步骤6：在基片上涂一层光刻胶，利用光刻、刻蚀技术在RTD欧姆接触层（3）、隔离绝缘层（5）上均形成RTD空气桥桥墩（7），利用磁控溅射台在RTD空气桥桥墩（7）上溅射一层厚度为 的金属Au；

步骤7：在基片上涂一层光刻胶，利用光刻、刻蚀技术在RTD欧姆接触层（3）、隔离绝缘层（5）上的RTD空气桥桥墩（7）之间形成RTD空气桥桥面（8）；得到基于RTD的竖直型电流霍尔器件；

（四）基于HEMT的水平型电流霍尔器件的制备，对HEMT台面（9）进行如下操作：

步骤1：在基片上涂一层光刻胶，利用光刻、刻蚀技术在HEMT台面（9）上表面的两端形成两个HEMT欧姆接触层（10）；对HEMT欧姆接触层（10）进行等离子去底膜清洗和去氧化层；接着在HEMT欧姆接触层（10）上蒸发一层厚度为 的以任意比例混合的金属合金Au/Ge/Ni，在380～420℃温度下合金化60秒；

步骤2：在HEMT台面（9）上涂一层光刻胶，利用光刻、刻蚀技术形成位于两个HEMT欧姆+接触层（10）之间的N 槽，继续刻蚀形成栅槽，从而得到双凹槽结构（11）；

步骤3：在双凹槽结构（11）上利用电子束蒸发一层厚度为 的以任意比例

混合的金属合金Ti/Pt/Au，形成肖特基势垒栅（12）；

步骤4：利用光刻、刻蚀技术在HEMT台面（9）一端的HEMT欧姆接触层（10）上刻蚀深槽（21），用金属蒸发、引线互联技术把肖特基势垒栅（12）通过引线（23）经深槽（21）与GaAs衬底（1）连接，使GaAs衬底（1）上形成栅极引线焊盘区（22）；

步骤5：在双凹槽结构（11）上200～230℃温度下利用PECVD淀积一层厚度为的Si3N4钝化层（18）从而将肖特基势垒栅（12）与欧姆接触层（10）隔离；

步骤6：在深槽（21）内填满光刻胶，利用光刻、腐蚀技术形成欧姆接触层桥面，在刻有深槽（21）的HEMT欧姆接触层（10）上蒸发一层厚度为2um的金属Au；

步骤7：霍尔检测电极的制备：在基片上涂一层光刻胶，利用光刻、刻蚀技术在HEMT台面（9）结构的前后面均开一个霍尔电极小窗口，利用溅射技术溅射一层以任意比例混合的金属合金Au/Ge/Ni覆盖小窗口，形成HEMT欧姆接触区（13）；使用引线连接技术将HEMT欧姆接触区（13）与GaAs衬底（1）连接，使GaAs衬底（1）上形成HEMT外界引线焊盘区（14）；

步骤8：在基片上涂一层光刻胶，利用光刻、刻蚀技术在HEMT欧姆接触层（10）的一侧形成两个HEMT空气桥桥墩（16）；在基片上涂一层光刻胶，利用光刻、刻蚀技术在两个HEMT空气桥桥墩（16）与HEMT欧姆接触层（10）之间形成两个HEMT空气桥桥面（17），在HEMT空气桥桥面（17）上利用磁控溅射台溅射一层厚度为 的金属Au，再在HEMT空气桥桥面（17）上电镀一层厚度为2～5μm的金属Au；

步骤9：利用腐蚀液去除基片上的光刻胶，形成带具有空气桥结构的基于HEMT的水平型电流霍尔器件；得到十字电流型三轴矢量磁传感器。