1.一种一维导电聚吡咯/凹凸棒纳米复合材料的制备方法，包括以下步骤：

1）将纳米凹凸棒粉体和水混合均匀，制成凹凸棒粉体重量百分含量为0.2%～4.9%的悬浮液；

2）在搅拌的条件下，向步骤1）中的悬浮液中加入吡咯，再向悬浮液中加入长链分子表面活性剂和掺杂剂，得到混合液；

所述的吡咯与纳米凹凸棒粉体的重量比为5～20:1；

所述的长链分子表面活性剂与吡咯的摩尔比为0.2～2:1；

所述的掺杂剂与吡咯的摩尔比为0.5～2:1；

所述的长链分子表面活性剂为十六烷基三甲基溴化铵或者十二烷基三甲基溴化铵；

3）向步骤2）中的混合液中加入氧化剂，在0℃～50℃氧化聚合3h～24h后，过滤、洗涤和干燥后得到一维导电聚吡咯/凹凸棒纳米复合材料；

所述的氧化剂与吡咯的摩尔比为0.8～2:1。

2.根据权利要求1所述的一维导电聚吡咯/凹凸棒纳米复合材料的制备方法，其特征在于，步骤1）中，所述的纳米凹凸棒粉体选自直径为20nm～100nm、长为0.3μm～3μm的凹凸棒石颗粒。

3.根据权利要求1所述的一维导电聚吡咯/凹凸棒纳米复合材料的制备方法，其特征在于，步骤2）中，所述的掺杂剂为对甲苯磺酸、十二烷基苯磺酸、十二烷基磺酸钠、樟脑磺酸、磺基水杨酸、盐酸、草酸中的一种或两种以上。

4.根据权利要求1所述的一维导电聚吡咯/凹凸棒纳米复合材料的制备方法，其特征在于，步骤3）中，所述的氧化剂为过硫酸铵或者三氯化铁。

5.根据权利要求1所述的一维导电聚吡咯/凹凸棒纳米复合材料的制备方法，其特征在于，步骤3）中，所述的氧化剂以浓度为0.2mol/L～5mol/L的氧化剂水溶液的形式连续加入，加入的时长为0.5～1.0小时。