1.一种IGBT串联型高压脉冲发生器，其特征在于：包括高压电源、储能电容、PLC、整流电路（1）、滤波电路（2）、高频功率MOSFET全桥逆变电路（3）、功率MOSFET驱动电路（4）、串联磁环隔离电路（5）、16路相互独立的隔离电源次级电路（6）、16路相互串联的IGBT串联电路（7）、光纤隔离电路（8）、PWM放大电路（9）、16路相互独立的故障输出电路（10）和光纤反馈电路（11）；高压电源提供的电压，经储能电容储能后通过16路相互串联的IGBT串联电路（7）产生高压脉冲；PLC产生PWM控制脉冲，依次接PWM放大电路（9）、光纤隔离电路（8）、

16路相互串联的IGBT串联电路（7）；市电经整流电路（1）、滤波电路（2）后变成直流电，再依次接高频功率MOSFET全桥逆变电路（3）、串联磁环电路（5）、16路独立的隔离电源次级电路（6）、16路相互串联的IGBT串联电路（7）；功率MOSFET驱动电路（4）与高频功率MOSFET全桥逆变电路（3）相连；16路相互串联的IGBT串联电路（7）输出的故障信号依次由16路独立的故障输出电路（10）、光纤反馈电路（11）输入PLC。

2.根据权利要求1所述的一种IGBT串联型高压脉冲发生器，其特征在于：所述的整流电路（1）采用1个大功率整流桥进行整流，进而连接滤波电路（2）；滤波电路（2）采用两个电容进行滤波，进而连接高频MOSFET全桥逆变电路（3）；高频MOSFET全桥逆变电路（3）采用4个功率MOSFET组成全桥结构，进而连接串联磁环隔离电路（5）；功率MOSFET驱动电路（4）由芯片SG3525发出控制信号，驱动两个芯片IR2110，两个IR2110产生4路驱动脉冲分别与高频MOSFET全桥逆变电路（3）的4个MOSFET的栅极和漏极相连；高频磁环隔离电路（5）所用磁环为16个铁基纳米晶磁环，用耐压60kV的硅橡胶绝缘线将16个铁基纳米晶磁环的初级串联起来，16个铁基纳米晶磁环的次级分别用耐压3000V以上的导线环绕后接入

16路独立的隔离电源次级电路（6），每个铁基纳米晶磁环的初级绕2圈，次级绕4圈；16路独立的隔离电源次级电路（6）的输入端分别与16个高频磁环隔离电路（5）的16路次级相连，16路独立的隔离电源次级电路（6）通过16个电源芯片LM2576-ADJ将输出电压调整为

16路独立输出的24V的稳压直流电，并输入16路相互串联的IGBT串联电路（7）。

3.根据权利要求1所述的一种IGBT串联型高压脉冲发生器，其特征在于：所述的PLC所产生的PWM控制脉冲接入PWM放大电路（9），PWM放大电路（9）由2个TLP250串联而成，第一个TLP250的2脚通过电阻和PLC相连，第一个TLP250的3脚和第二个TLP250的2脚相连，第二个TLP250的3脚与PLC相连，PWM放大电路（9）的输出端与光纤隔离电路（8）相连；光纤隔离电路（8）共有16路光纤，分为两组，每组8路光纤；第一组中，第一个光纤发光头HFBR-1414的2脚经电阻与PWM放大电路（9）中第一个TLP250的6脚相连，前一个HFBR-1414的3脚与后一个HFBR-1414的2脚相连，第八个HFBR-1414的3脚与第一个TLP250的5脚相连；第二组中，第九个光纤发光头HFBR-1414的2脚经电阻与PWM放大电路（9）中第二个TLP250的6脚相连，前一个HFBR-1414的3脚与后一个HFBR-1414的2脚相连，最后一个HFBR-1414的3脚与第二个TLP250的5脚相连；光纤隔离电路（8）的输出端为16个光纤收光头HFBR-2412，每个HFBR-2412的6脚经电阻分别接16路相互串联的IGBT串联电路（7）的16路信号输入端TLP250的2脚；16路相互串联的IGBT串联电路（7）中每路IGBT串联电路采用4个IGBT串联，每个IGBT用1个M57962L为驱动芯片，第一个M57962L的14脚通过电阻与TLP250相连，前一个M57962L的13脚与后一个M57962L的

14脚相连，第四个M57962L的14脚与TLP250的5脚相连；每个M57962L的供电电源为隔离电压为3000V的24V转正负12V的DC/DC电源模块NN2-24D12S3，其中+12V接M57962L的4脚，-12V接M57962L的6脚；每个M57962L的4脚通过电阻与TLP521-1的1脚相连，

8脚与TLP521-1的2脚相连；16路相互串联的IGBT串联电路（7）分别与16路独立的故障输出电路（10）相连，每路故障输出电路（10）包括芯片74HC4072、SN75451及一个光纤发光头HFBR-1414，每个74HC4072的4个输入端A、B、C、D与每路IGBT串联电路（7）中的4个TLP521-1的3脚中，74HC4072的1脚与SN75451的2脚相连，SN75451的3脚与HFBR-1414的2脚相连，HFBR-1414通过光纤与光纤反馈电路（11）；16路相互串联的IGBT串联电路（7）的每个IGBT的栅极通过栅极电阻与与其对应的M57962L的5脚相连，16路相互串联的IGBT串联电路（7）共有64个IGBT，其中第一个IGBT的集电极与储能电容的正极相连，前一个IGBT的发射极分别与后一个IGBT的集电极相连，直至最后一个，最后一个IGBT的发射极为高压脉冲正极输出端。

4.根据权利要求1所述的一种IGBT串联型高压脉冲发生器，其特征在于：所述的光纤反馈电路（11）包括：16路独立的光纤接收电路，2个74HC4078，其中16个光纤收光头HFBR-2412的6脚分别与两个74HC4078的8个输入端相连，两个74HC4078的13脚接PLC。