1.基于石墨烯的MEMS声学传感器，其特征在于：主要结构由上层结构、下层结构及石墨烯组成，上层结构上制作有集音腔、间隙腔、通孔板、拾音孔、上层金属层、上层绝缘层、上层金属连接位、上层金属键合层，下层结构层上制作有通孔板、间隙腔、阻尼孔、阻尼腔、下层金属层、下层绝缘层、下层金属连接位、石墨烯连接位、下层金属键合层、上层金属焊盘、下层金属焊盘、上层金属连接孔、下层金属连接孔、石墨烯连接孔；在上层结构层（1）上加工有倒四边棱台形结构的集音腔（5、6），集音腔（5、6）的底部分别加工有第一通孔板（7、

8），第一通孔板（7、8）上均布有拾音孔（11、12），在第一通孔板（7、8）的下面加工有第一间隙腔（9、10），第一间隙腔（9、10）的内壁上淀积有上层金属层（13、14），第一间隙腔（9、10）四周矩形边框上淀积有上层绝缘层（15、16），第一上层金属层（13）的左侧连接有第一上层金属连接位（17），第二上层金属层（14）的右侧连接有第二上层金属连接位（18），上层结构层（1）底面的四周边框制作有上层金属键合层（3），上层金属键合层（3）的底面键合有下层金属键合层（4），下层金属键合层（4）制作于下层结构层（2）的四周边框位置处，下层结构层（2）上与第一间隙腔（9、10）相对的位置上加工有第二间隙腔（28、29），第二间隙腔（28、

29）的内壁淀积有下层金属层（19、20），第二间隙腔（28、29）四周矩形边框上淀积有下层绝缘层（21、22），第二间隙腔（28、29）的底部加工有第二通孔板（26、27），第二通孔板（26、27）上均布有阻尼孔（31、32），第二通孔板（26、27）的底部有阻尼腔（42、43），第一下层金属层（19）的左侧与第一上层金属连接位（17）相对的位置处加工有第一下层金属连接位（23），第二下层金属层（20）的右侧与第二上层金属连接位（18）相对的位置处加工有第二下层金属连接位（24），下层结构层（2）的中央位置加工有石墨烯连接位（25），下层结构层（2）的底面两侧边框上制作有上层金属焊盘（32、33）、下层金属焊盘（34、35），下层结构层（2）的底面中间位置处有石墨烯焊盘（36），下层金属连接位（23、24）通过上层金属连接孔（39、40）与上层金属焊盘（32、33）相连，下层金属层（19、20）通过下层金属连接孔（39、40）与下层金属焊盘（34、35）相连，石墨烯连接位（25）通过石墨烯连接孔（41）与石墨烯焊盘（36）相连，上层绝缘层（15、16）与下层绝缘层（21、22）中间夹有石墨烯层（44）。

2.根据权利要求1所述的基于石墨烯的MEMS声学传感器，其特征在于：第一上层金属层（13）与石墨烯层（44）形成第一集音腔（5）的上层电容，第二上层金属层（14）与石墨烯层（44）形成第一集音腔（5）的下层电容，第一下层金属层（19）与石墨烯层（44）形成第二集音腔（6）的上层电容，第二下层金属层（20）与石墨烯层（44）形成第二集音腔（6）的下层电容，第一集音腔（5）的上层电容、下层电容分别由上层金属焊盘（32、33）、下层金属焊盘（34、35）引出，第二集音腔（6）的上层电容、下层电容分别由上层金属焊盘（32、33）、下层金属焊盘（34、35）引出。

3.根据权利要求1所述的基于石墨烯的MEMS声学传感器，其特征在于：第一集音腔（5）的上层电容、下层电容、第二集音腔（6）的上层电容、下层电容组成惠斯通电桥电路，该电桥电路的输出信号通过信号调理电路输出。

4.根据权利要求1所述的基于石墨烯的MEMS声学传感器，其特征在于：集音腔（5、6）呈倒四边棱台结构，采用硅材料湿法工艺制成，集音腔（5、6）的容积由掩膜尺寸窗口和硅片深度决定。

5.根据权利要求1所述的基于石墨烯的MEMS声学传感器，其特征在于：间隙腔（9、10、

28、29）采用反应离子刻蚀加工而成，其加工深度可根据声学传感器的测量范围决定。

6.根据权利要求1所述的基于石墨烯的MEMS声学传感器，其特征在于：第一通孔板（7、8）上均布的拾音孔（11、12）、第二通孔板（26、27）上均布的阻尼孔（30、31）的个数和尺寸可根据声学传感器采集的声音类型、应用环境、阻尼系数确定。

7.根据权利要求1所述的基于石墨烯的MEMS声学传感器，其特征在于：声学传感器（45）采用“flip-chip”技术与信号处理电路模块（46）连接，上层金属焊盘（32、33）、下层金属焊盘（34、35）、石墨烯焊盘（36）通过焊料（47、48、49、50、51）与信号处理电路模块（46）上焊盘（52、53、54、55、56）相连。

8.根据权利要求1所述的基于石墨烯的MEMS声学传感器，其特征在于：封装后形成的声学传感器模块可安装于基座上组成线阵列、面阵列、球面阵列传感器系统。