1.一种太阳能电池单元的制造方法，该方法包括：

a)提供衬底(100)，所述衬底包括(100)第一表面(101)和与该第一表面(101)相对的第二表面(102)；

b)对所述第一表面(101)和第二表面(102)分别进行重掺杂，在所述第一表面(101)上形成第一掺杂区(110)以及在所述第二表面(102)上形成第二掺杂区(120)；

c)从所述衬底的第一表面(101)和第二表面(102)形成至少两个第一沟槽(300)以及至少一个第二沟槽(301)，其中每个所述第二沟槽(301)位于相邻的两个所述第一沟槽(300)之间，从而形成至少两个基板(500)和至少一个基片构成的竖直基板阵列；

d)对所述第一沟槽(300)和第二沟槽(301)的侧壁分别进行重掺杂，在所述第一沟槽(300)的侧壁形成第三掺杂区(130)以及在所述第二沟槽(301)的侧壁形成第四掺杂区(140)，且保持所述第一掺杂区(110)和第二掺杂区(120)的表面掺杂类型不发生改变，从而形成竖直太阳能电池阵列，其中，所述第三掺杂区(130)和第四掺杂区(140)中杂质的类型相反。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中：

所述衬底(100)的材料包括单晶Si、单晶Ge、或单晶SiGe，且所述第一表面(101)或第二表面(102)为{110}面或{112}面，且所述第一沟槽(300)和第二沟槽(301)的侧壁为{111}面。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，对所述第一表面(101)和第二表面(102)进行杂质类型相同的重掺杂。

4.根据权利要求1所述的制造方法，其中，对所述第一表面(101)和第二表面(102)进行杂质类型相反的重掺杂。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的制造方法，其中：

19 -3

所述第一掺杂区(110)和第二掺杂区(120)的最高掺杂浓度高于5×10 cm 。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的制造方法，其中，在所述步骤b)之后并且在步骤c)之前还包括：e)在所述衬底(100)的第一表面(101)和第二表面(102)之上分别形成第一基片(200)和第二基片(210)。

7.根据权利要求6所述的制造方法，其中，在所述第一掺杂区(110)和第二掺杂区(120)中杂质的类型相反的情况下：当所述第一掺杂区(110)中杂质的类型为N型、所述第二掺杂区(120)中杂质的类型为P型，则所述第一基片(200)中紧邻衬底(100)的部分的材料为SiN、所述第二基片(210)的中紧邻所述衬底(100)的材料为Al2O3；

当所述第一掺杂区(110)中杂质的类型为P型、所述第二掺杂区(120)中杂质的类型为N型，则所述第一基片(200)中紧邻衬底(100)的部分的材料为Al2O3、所述第二基片(210)中紧邻所述衬底(100)的材料为SiN。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其中，在所述第一掺杂区(110)和第二掺杂区(120)中杂质的类型相同的情况下：当所述第一掺杂区(110)和第二掺杂区(120)中杂质的类型均为N型，则所述第一基片(200)和第二基片(210)中紧邻衬底(100)的部分的材料为SiN；

当所述第一掺杂区(110)和第二掺杂区(120)中杂质的类型均为P型，则所述第一基片(200)和第二基片(210)中紧邻衬底(100)的部分的材料为Al2O3。

9.一种太阳能电池单元，该太阳能电池单元，包括基板(500)，该基板(500)具有第三表面(501)和与该第三表面(501)相对的第四表面(502)，其中，在所述第三表面(501)和第四表面(502)上分别具有第三掺杂区(130)和第四掺杂区(140)，在与所述第三表面(501)和第四表面(502)相邻的侧表面上分别具有第一掺杂区(110)和第二掺杂区(120)，所述第三掺杂区(130)和第四掺杂区(140)中杂质的类型相反，所述第一掺杂区(110)和第二掺杂区(120)的表面具有单一的掺杂类型。

10.根据权利要求9所述的太阳能电池单元，其中，所述第一掺杂区(110)和第二掺杂区(120)中杂质的类型相同。

11.根据权利要求9所述的太阳能电池单元，其中，所述第一掺杂区(110)和第二掺杂区(120)中杂质的类型相反。

12.根据权利要求9至11中任一项所述的制造方法，其中：

19 -3

所述第一掺杂区(110)和第二掺杂区(120)的表面掺杂浓度高于5×10 cm 。

13.根据权利要求9至11中任一项所述的太阳能电池单元，其中：

在所述第一掺杂区(110)和第二掺杂区(120)的表面上存在第一基片(200)和第二基片(210)。

14.根据权利要求13所述的制造方法，其中，在所述第一掺杂区(110)和第二掺杂区(120)中杂质的类型相同的情况下：当所述第一掺杂区(110)和第二掺杂区(120)中杂质的类型均为N型，则所述第一基片(200)和第二基片(210)中紧邻衬底(100)的部分的材料为SiN；

当所述第一掺杂区(110)和第二掺杂区(120)中杂质的类型均为P型，则所述第一基片(200)和第二基片(210)中紧邻衬底(100)的部分的材料为Al2O3。

15.根据权利要求13所述的太阳能电池单元，在所述第一掺杂区(110)和第二掺杂区(120)中杂质的类型相反的情况下：当所述第一掺杂区(110)中杂质的类型为N型、所述第二掺杂区(120)中杂质的类型为P型，则所述第一基片(200)中紧邻所述衬底(100)的材料为SiN、所述第二基片(210)中紧邻衬底(100)的部分的材料为Al2O3；

当所述第一掺杂区(110)中杂质的类型为P型、所述第二掺杂区(120)中杂质的类型为N型，则所述第一基片(200)中紧邻衬底(100)的部分的材料为Al2O3、所述第二基片(210)中紧邻所述衬底(100)的材料为SiN。