1.一种铁掺杂三氧化钨光电极的制备方法，其特征在于包括如下步骤：

1)无定形氧化钨薄膜的制备：将0.0025~0.0100mol的Na2WO4溶于50mL的蒸馏水，加入0.25~1.00mL质量百分比浓度为30%的H2O2溶液，再加入30mL的异丙醇，搅拌1分钟得

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到含W2O7 溶液后用2mol/L的高氯酸或硝酸调节含W2O7 溶液pH值为1.10~1.40，加蒸馏

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水到含W2O7 溶液至体积为100mL，得到澄清的电解液；以ITO导电玻璃为工作电极，铂片电极为对电极，饱和甘汞电极为参比电极，置于电解液中进行电沉积，相对于甘汞电极的阴极电位为-0.4~ -0.6V, 沉积时间为60分钟,得到无定形氧化钨薄膜，晾干备用；

2)浸渍法掺杂铁：将步骤1)所得无定形氧化钨薄膜置于0.005mol/L的Fe(NO3)3溶液中浸渍20~40分钟，得到铁掺杂氧化钨薄膜，取出后用蒸馏水冲洗，空气中晾干；

3)煅烧：将步骤2)所得铁掺杂氧化钨薄膜置于马弗炉中，在450°C下高温煅烧3小时，冷却至室温后取出，得到铁掺杂三氧化钨光电极，所述的铁为Fe2O3。