1.一种无轴承永磁同步电机径向广义逆内模控制器的构造方法，其特征是依次按以下步骤：

1）由Park逆变换（21）、Clark逆变换（22）、电流跟踪型逆变器（23）依次串联构成扩展的电流跟踪型逆变器（2）；

2）将扩展的电流跟踪型逆变器（2）串接在被控的无轴承永磁同步电机径向位置系统（1）之前作为一个整体构成复合被控对象（3）；

3）由4个线性环节和非线性映射（41）构造复合被控对象（3）的广义逆系统（4），将广义逆系统（4）串联于复合被控对象（3）之前组成广义伪线性系统（5），广义伪线性系统（5）等效为2个解耦的二阶位移线性子系统（51、52）；所述广义逆系统（4）中非线性映射（41）的构造方法为：先建立无轴承永磁同步电机径向位置系统（1）的数学模型，推导出复合被控对象（3）的状态方程，然后针对复合被控对象（3）的期望输出 ，求其一阶、二阶导数，求出 和 ，确定非线性映射（41）的

输入为 ，非线性映射（41）的输出即广义逆系统（4）的输出为用

来控制复合被控对象（3）产生期望输出的控制量 ，最后通过计算得

到非线性映射（41）的表达式 ，a10、a11、a12、a20、a21和 a22为广义逆系统的参数；

4）对2个二阶位移线性子系统（51、52）分别引入2个位移内模控制器（61、62）构造内模控制器（6），2个位移内模控制器（61、62）相并联，将内模控制器（6）与广义逆系统（4）以及扩展的电流跟踪型逆变器（2）相结合组成广义逆内模控制器（7），控制无轴承永磁同步电机径向位置系统（1）；第一位移内模控制器（61）由第一位移内部模型（611）和第一位移控制器（612）构成，第二位移内模控制器（62）由第二位移内部模型（621）和第二位移控制器（622）构成；

第一、第二位移内部模型（611、621）分别为：

、 ， 第一、第二位移控制器（612、622）分别为：

、 ，

其中，a10、a12、a20和 a22的值取为1，a11和 a21的值取为1.414， ，为相应第一、第二位移控制器（612、622）的一型低通滤波器。