1.一种带有非吸收窗口的大功率半导体激光器，其特征在于：非吸收窗口（10）位于激光器的脊型或者条形上方，且非吸收窗口（10）分布在激光器腔面两端，呈半柱形结构，其平面部分即为激光器的出光腔面，其弧面部分位于激光器的腔长内部；非吸收窗口的深度应超过激光器有源区的上波导层；

所述的半导体激光器为脊型结构时，所述的非吸收窗口（10）分布在激光器外延片结构的上表面，外延片截面结构是，从下到上依次设置有衬底（1）、外延生长的缓冲层（2）、下限制层（3）、下波导层（4）、量子阱和量子垒区（5）、上波导层（6）、上限制层（7）和上接触层（8），上接触层（8）的纵向中心线上设置有脊型波导（9）和半柱形的非吸收窗口（10），非吸收窗口（10）包括半柱形的平面部分（12）和半柱形的弧面部分（13）；非吸收窗口（10）的中心区域和脊型波导（9）中心区域重合，非吸收窗口（10）的深度依次穿过上接触层（8）、上限制层（7）、上波导层（6）、量子阱和量子垒区（5）和下波导层（4）；

或者

所述的半导体激光器为条形结构时，非吸收窗口（10）分布在激光器外延片结构的表面，所述的外延片结构从下到上依次设置有衬底（1）、外延生长的缓冲层（2）、下限制层（3）、下波导层（4）、量子阱和量子垒区（5）、上波导层（6）、上限制层（7）和上接触层（8），上接触层（8）的纵向中心线上设置有条形区域（11）和非吸收窗口（10），非吸收窗口（10）包括半柱形的平面部分（12）和半柱形的弧面部分（13）；非吸收窗口（10）的中心区域和条形区域（11）中心区域重合，非吸收窗口（10）的深度依次穿过上接触层（8）、上限制层（7）、上波导层（6）、量子阱和量子垒区（5）和下波导层（4）。

2.根据权利要求1所述的带有非吸收窗口的大功率半导体激光器，其特征在于：所述的脊型波导激光器结构中，非吸收窗口的直径大于等于1微米、且小于20微米；

或者，在条形激光器结构中，非吸收窗口的直径大于等于3微米、且小于900微米。