1.一种梁岛塔形压阻式三轴MEMS高量程加速度传感器阵列，其特征在于：包括第一六梁双岛T形结构传感器、第二六梁双岛T形结构传感器、以及四梁锥台结构传感器；

所述第一六梁双岛T形结构传感器包括X轴加速度传感器、Z轴低量程加速度传感器、以及第一正方形硅基框架（1）；

X轴加速度传感器包括右侧矩形质量块（2）、右侧连接梁（3）、右上侧检测梁（4）、右下侧检测梁（5）、以及由第一-第四压敏元件（6-9）构成的第一惠斯通电桥；右侧矩形质量块（2）支悬于第一正方形硅基框架（1）的内腔右侧；右侧连接梁（3）沿右侧矩形质量块（2）的宽度方向中心线设置，且右侧矩形质量块（2）的右侧长边通过右侧连接梁（3）与第一正方形硅基框架（1）的右侧内壁固定；右上侧检测梁（4）沿右侧矩形质量块（2）的长度方向中心线设置，且右侧矩形质量块（2）的上侧短边通过右上侧检测梁（4）与第一正方形硅基框架（1）的上侧内壁固定；右下侧检测梁（5）沿右侧矩形质量块（2）的长度方向中心线设置，且右侧矩形质量块（2）的下侧短边通过右下侧检测梁（5）与第一正方形硅基框架（1）的下侧内壁固定；第一压敏元件（6）安装于右上侧检测梁（4）的上端左侧；第二压敏元件（7）安装于右上侧检测梁（4）的上端右侧；第三压敏元件（8）安装于右下侧检测梁（5）的下端左侧；

第四压敏元件（9）安装于右下侧检测梁（5）的下端右侧；

Z轴低量程加速度传感器包括左侧矩形质量块（10）、左侧连接梁（11）、左上侧检测梁（12）、左下侧检测梁（13）、以及由第五-第八压敏元件（14-17）构成的第二惠斯通电桥；左侧矩形质量块（10）支悬于第一正方形硅基框架（1）的内腔左侧；左侧连接梁（11）沿左侧矩形质量块（10）的宽度方向中心线设置，且左侧矩形质量块（10）的左侧长边通过左侧连接梁（11）与第一正方形硅基框架（1）的左侧内壁固定；左上侧检测梁（12）沿左侧矩形质量块（10）的长度方向中心线设置，且左侧矩形质量块（10）的上侧短边通过左上侧检测梁（12）与第一正方形硅基框架（1）的上侧内壁固定；左下侧检测梁（13）沿左侧矩形质量块（10）的长度方向中心线设置，且左侧矩形质量块（10）的下侧短边通过左下侧检测梁（13）与第一正方形硅基框架（1）的下侧内壁固定；第五压敏元件（14）安装于左上侧检测梁（12）的上端中央；第六压敏元件（15）安装于左上侧检测梁（12）的下端中央；第七压敏元件（16）安装于左下侧检测梁（13）的上端中央；第八压敏元件（17）安装于左下侧检测梁（13）的下端中央；

所述第二六梁双岛T形结构传感器包括Y轴加速度传感器、Z轴中量程加速度传感器、以及第二正方形硅基框架（18）；

Y轴加速度传感器包括上侧矩形质量块（19）、上侧连接梁（20）、上左侧检测梁（21）、上右侧检测梁（22）、以及由第九-第十二压敏元件（23-26）构成的第三惠斯通电桥；上侧矩形质量块（19）支悬于第二正方形硅基框架（18）的内腔上侧；上侧连接梁（20）沿上侧矩形质量块（19）的宽度方向中心线设置，且上侧矩形质量块（19）的上侧长边通过上侧连接梁（20）与第二正方形硅基框架（18）的上侧内壁固定；上左侧检测梁（21）沿上侧矩形质量块（19）的长度方向中心线设置，且上侧矩形质量块（19）的左侧短边通过上左侧检测梁（21）与第二正方形硅基框架（18）左侧内壁固定；上右侧检测梁（22）沿上侧矩形质量块（19）的长度方向中心线设置，且上侧矩形质量块（19）的右侧短边通过上右侧检测梁（22）与第二正方形硅基框架（18）右侧内壁固定；第九压敏元件（23）安装于上左侧检测梁（21）的左端下侧；第十压敏元件（24）安装于上左侧检测梁（21）的左端上侧；第十一压敏元件（25）安装于上右侧检测梁（22）的右端下侧；第十二压敏元件（26）安装于上右侧检测梁（22）的右端上侧；

Z轴中量程加速度传感器包括下侧矩形质量块（27）、下侧连接梁（28）、下左侧检测梁（29）、下右侧检测梁（30）、以及由第十三-第十六压敏元件（31-34）构成的第四惠斯通电桥；下侧矩形质量块（27）支悬于第二正方形硅基框架（18）的内腔下侧；下侧连接梁（28）沿下侧矩形质量块（27）的宽度方向中心线设置，且下侧矩形质量块（27）的下侧长边通过下侧连接梁（28）与第二正方形硅基框架（18）的下侧内壁固定；下左侧检测梁（29）沿下侧矩形质量块（27）的长度方向中心线设置，且下侧矩形质量块（27）的左侧短边通过下左侧检测梁（29）与第二正方形硅基框架（18）左侧内壁固定；下右侧检测梁（30）沿下侧矩形质量块（27）的长度方向中心线设置，且下侧矩形质量块（27）的右侧短边通过下右侧检测梁（30）与第二正方形硅基框架（18）右侧内壁固定；第十三压敏元件（31）安装于下左侧检测梁（25）的左端中央；第十四压敏元件（32）安装于下左侧检测梁（25）的右端中央；第十五压敏元件（33）安装于下右侧检测梁（26）的左端中央；第十六压敏元件（34）安装于下右侧检测梁（26）的右端中央；

所述四梁锥台结构传感器包括Z轴高量程加速度传感器、以及第三正方形硅基框架（35）；

Z轴高量程加速度传感器包括正方形质量块（36）、上侧检测梁（37）、下侧检测梁（38）、左侧检测梁（39）、右侧检测梁（40）、以及由第十七-第二十压敏元件（41-44）构成的第五惠斯通电桥；正方形质量块（36）支悬于第三正方形硅基框架（35）的内腔中央；上侧检测梁（37）沿正方形质量块（36）的中心线设置，且正方形质量块（36）的上侧边通过上侧检测梁（37）与第三正方形硅基框架（35）的上侧内壁固定；下侧检测梁（38）沿正方形质量块（36）的中心线设置，且正方形质量块（36）的下侧边通过下侧检测梁（38）与第三正方形硅基框架（35）的下侧内壁固定；左侧检测梁（39）沿正方形质量块（36）的中心线设置，且正方形质量块（36）的左侧边通过左侧检测梁（39）与第三正方形硅基框架（35）的左侧内壁固定；右侧检测梁（40）沿正方形质量块（36）的中心线设置，且正方形质量块（36）的右侧边通过右侧检测梁（40）与第三正方形硅基框架（35）的右侧内壁固定；第十七压敏元件（41）安装于上侧检测梁（37）的上端中央；第十八压敏元件（42）安装于右侧检测梁（40）的右端中央；

第十九压敏元件（43）安装于下侧检测梁（38）的下端中央；第二十压敏元件（44）安装于左侧检测梁（39）的左端中央；

第一正方形硅基框架（1）的右侧外壁与第二正方形硅基框架（18）的左侧外壁紧贴固定；第二正方形硅基框架（18）的右侧外壁与第三正方形硅基框架（35）的左侧外壁紧贴固定。

2.根据权利要求1所述的梁岛塔形压阻式三轴MEMS高量程加速度传感器阵列，其特征在于：右上侧检测梁（4）的长度与右下侧检测梁（5）的长度相等，且右上侧检测梁（4）的长度大于右侧连接梁（3）的长度；右上侧检测梁（4）的厚度与右下侧检测梁（5）的厚度相等，且右上侧检测梁（4）的厚度大于右侧连接梁（3）的厚度；右上侧检测梁（4）的宽度与右下侧检测梁（5）的宽度相等，且右上侧检测梁（4）的宽度大于右侧连接梁（3）的宽度。

3.根据权利要求1所述的梁岛塔形压阻式三轴MEMS高量程加速度传感器阵列，其特征在于：左上侧检测梁（12）的长度与左下侧检测梁（13）的长度相等，且左上侧检测梁（12）的长度大于左侧连接梁（11）的长度；左上侧检测梁（12）的厚度、左下侧检测梁（13）的厚度、左侧连接梁（11）的厚度均相等；左上侧检测梁（12）的宽度、左下侧检测梁（13）的宽度、左侧连接梁（11）的宽度均相等。

4.根据权利要求1所述的梁岛塔形压阻式三轴MEMS高量程加速度传感器阵列，其特征在于：上左侧检测梁（21）的长度与上右侧检测梁（22）的长度相等，且上左侧检测梁（21）的长度大于上侧连接梁（20）的长度；上左侧检测梁（21）的厚度与上右侧检测梁（22）的厚度相等，且上左侧检测梁（21）的厚度大于上侧连接梁（20）的厚度；上左侧检测梁（21）的宽度与上右侧检测梁（22）的宽度相等，且上左侧检测梁（21）的宽度大于上侧连接梁（20）的宽度。

5.根据权利要求1所述的梁岛塔形压阻式三轴MEMS高量程加速度传感器阵列，其特征在于：下左侧检测梁（29）的长度与下右侧检测梁（30）的长度相等，且下左侧检测梁（29）的长度大于下侧连接梁（28）的长度；下左侧检测梁（29）的厚度、下右侧检测梁（30）的厚度、下侧连接梁（28）的厚度均相等；下左侧检测梁（29）的宽度与下右侧检测梁（30）的宽度相等，且下侧连接梁（28）的宽度等于下左侧检测梁（29）的宽度的两倍。

6.根据权利要求1所述的梁岛塔形压阻式三轴MEMS高量程加速度传感器阵列，其特征在于：上侧检测梁（37）的厚度、下侧检测梁（38）的厚度、左侧检测梁（39）的厚度、右侧检测梁（40）的厚度均相等；上侧检测梁（37）的宽度、下侧检测梁（38）的宽度、左侧检测梁（39）的宽度、右侧检测梁（40）的宽度均相等。

7.根据权利要求1所述的梁岛塔形压阻式三轴MEMS高量程加速度传感器阵列，其特征在于：正方形质量块（36）的表面中央贯通开设有倒塔形孔洞（45）。

8.根据权利要求1所述的梁岛塔形压阻式三轴MEMS高量程加速度传感器阵列，其特征在于：第十七压敏元件（41）沿上侧检测梁（37）的长度方向安装于上侧检测梁（37）上端中央；第十八压敏元件（42）沿右侧检测梁（40）的宽度方向安装于右侧检测梁（40）右端中央；

第十九压敏元件（43）沿下侧检测梁（38）的长度方向安装于下侧检测梁（38）下端中央；第二十压敏元件（44）沿左侧检测梁（39）的宽度方向安装于左侧检测梁（39）左端中央。