1.一种基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器，其特征在于：由下电极、阻变层和上电极构成，阻变层为由氧化钒介质层和氧化锌介质层组成的叠层结构，氧化锌的成分为ZnO1-x，其中0

0.5

2.根据权利要求1所述基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器，其特征在于：所述上下电极材料为导电金属、金属合金和导电金属化合物，其中导电金属为Ta、Cu、Ag、W、Ni、Al或Pt；金属合金为Pt/Ti、Ti/Ta、Cu/Ti、Cu/Au、Cu/Al或Al/Zr；导电金属化合物为TiN或ITO。

3.一种如权利要求1所述基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器的制备方法，其特征在于步骤如下，其中氧化钒介质层和氧化锌介质层薄膜的制备不限定先后次序：

1）以Si片为衬底，利用热氧化的方法制备SiO2绝缘层；

2）在SiO2绝缘层上利用离子束溅射的方法制备Ti粘附层；

3）在Ti粘附层上制备下电极；

4）在下电极上采用直流溅射或射频溅射法沉积氧化钒薄膜，溅射工艺条件为：本底真-4空小于10 Pa、衬底温度为室温-200℃、工作压强0.1-2Pa、氧分压为5%-30%、溅射功率为

50-250W；

5）在氧化钒薄膜上采用直流溅射或射频溅射法沉积氧化锌薄膜，溅射工艺条件为：本-4底真空小于10 Pa、衬底温度为室温-300℃、工作压强为0.1-2Pa、氧分压为5%-40%、溅射功率为50-250W；

6）在氧化锌薄膜上制备上电极；

7）在上电极上利用PECVD的方法生长一层SiO2作为保护层。

4.根据权利要求3所述基于氧化钒/氧化锌叠层结构的阻变存储器的制备方法，其特征在于：所述制备上下电极的方法为离子束溅射、磁控溅射或电子束蒸发工艺。