1.一种用顶部籽晶熔渗法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法，由下述的步骤组成：（1）配制固相先驱粉

将BaCO3与CuO按摩尔比为1：1混合，用固态反应法制成BaCuO2粉，将Y2O3初始粉与BaCuO2粉按摩尔比为1：x的比例混合均匀，制成Y2O3+x BaCuO2固相先驱粉；

上式中0.5≤x≤3；

（2）配制液相源粉

将BaCO3与CuO按摩尔比为1：1混合，用固态反应法烧结成BaCuO2粉，将Y2O3或Yb2O3初始粉与CuO、BaCuO2粉按摩尔比为1：6：10混合均匀，作为液相源粉；

（3）压制固相先驱块和液相块

取Y2O3+x BaCuO2固相先驱粉和液相源粉，分别压制成Y2O3+x BaCuO2固相先驱块和液相块，固相先驱粉与液相源粉的质量比为1：0.72～1.93；

（4）压制支撑块

将Y2O3粉或Yb2O3粉压制成与液相块形状相同的坯块，作为支撑块；

（5）制备钕钡铜氧籽晶块

取Nd2O3与BaCO3、CuO混合，Nd2O3与BaCO3、CuO的摩尔比为1：1：1，用固态反应法制成Nd2BaCuO5粉；取Nd2O3与BaCO3、CuO混合，Nd2O3与BaCO3、CuO的摩尔比为1：4：6，用固态反应法制成NdBa2Cu3O7-δ粉；将Nd2BaCuO5粉体与NdBa2Cu3O7-δ粉体按照质量比为1：3混合均匀，作为先驱块，用顶部籽晶熔融织构方法烧结，取自然解理的小方块作为钕钡铜氧籽晶块；

上式中0≤δ≤1；

（6）坯体装配及放置

在Al2O3垫片上表面至下而上依次放置MgO单晶片、支撑块、液相块、Y2O3+x BaCuO2固相先驱块和钕钡铜氧籽晶块，形成坯体；

（7）熔渗生长单畴钇钡铜氧块材

将装配好的坯体放入管式炉中，以每小时90～120℃的升温速率升温至920℃，保温

10～20小时，以每小时40～60℃的升温速率升温至1040～1045℃，保温1～2小时；以每小时50℃的降温速率降温至1015～1020℃，以每小时0.1～0.5℃的降温速率慢冷至

970～990℃，随炉自然冷却至室温，得到单畴钇钡铜氧块材；

（8）渗氧处理

将单畴钇钡铜氧块材置入石英管式炉中，在流通氧气气氛中，410～440℃的温区中慢冷200小时，得到单畴钇钡铜氧超导块材。

2.根据权利要求1所述的用顶部籽晶熔渗法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法，其特征在于：所述步骤（1）中，将BaCO3与CuO按摩尔比为1：1混合，用固态反应法制成BaCuO2粉，将Y2O3初始粉与BaCuO2粉按摩尔比为1：x的比例混合均匀，制成Y2O3+x BaCuO2固相先驱粉，上式中1≤x≤2.5。

3.根据权利要求1所述的用顶部籽晶熔渗法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法，其特征在于：所述步骤（3）中，取Y2O3+x BaCuO2固相先驱粉和液相源粉，分别压制成Y2O3+x BaCuO2固相先驱块和液相块，固相先驱粉与液相源粉的质量比为1：0.82～1.44。

4.根据权利要求3所述的用顶部籽晶熔渗法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法，其特征在于：所述液相块的尺寸块不小于固相块的尺寸。

5.根据权利要求1所述的用顶部籽晶熔渗法制备单畴钇钡铜氧超导块材的方法，其特征在于：所述步骤（6）中，MgO单晶片是等高的3～5片。