1.一种聚噻吩纳米导电复合材料，其特征在于：该材料为碘掺杂多孔棒状二氧化硅/聚噻吩无定型导电复合材料；

其制备方法如下：(1)凹凸棒石/聚噻吩纳米复合材料的制备：将噻吩单体溶于有机溶剂Ⅰ中，将凹凸棒石、氧化剂加入到有机溶剂Ⅱ中，接着向含噻吩的有机溶剂中滴加凹凸棒石的分散液，滴加完毕后保温，过滤，洗涤，干燥即制得凹凸棒石/聚噻吩纳米复合材料；

(2)多孔棒状二氧化硅/聚噻吩纳米导电复合材料的制备：

将步骤1所制得的凹凸棒石/聚噻吩纳米复合材料与单质碘置于密闭的容器内反应，冷却至室温即制得多孔棒状二氧化硅/聚噻吩纳米导电复合材料；

步骤(1)中有机溶剂Ⅰ为甲苯、二甲苯、三氯甲烷、硝基甲烷、正己烷、氯苯或二氯苯中的一种；所述的有机溶剂Ⅱ为四氢呋喃、丙酮、乙腈或丙醇中的一种，所述的氧化剂为无水三氯化铁或过硫酸铵中的一种；

步骤(1)所述的凹凸棒石与有机溶剂Ⅱ质量之比为0.1～0.3:1，，凹凸棒石与噻吩质量之比为1～4:1，氧化剂与噻吩摩尔比为1～3:1，有机溶剂Ⅰ与有机溶剂Ⅱ质量之比为

0.5～2.0:1。

2.根据权利要求1所述的聚噻吩纳米导电复合材料的制备方法，其特征在于：步骤如下：(1)凹凸棒石/聚噻吩纳米复合材料的制备：

将噻吩单体溶于有机溶剂Ⅰ中，将凹凸棒石、氧化剂加入到有机溶剂Ⅱ中，接着向含噻吩的有机溶剂中滴加凹凸棒石的分散液，滴加完毕后保温，过滤，洗涤，干燥即制得凹凸棒石/聚噻吩纳米复合材料；

(2)多孔棒状二氧化硅/聚噻吩纳米导电复合材料的制备：

将步骤1所制得的凹凸棒石/聚噻吩纳米复合材料与单质碘置于密闭的容器内反应，冷却至室温即制得多孔棒状二氧化硅/聚噻吩纳米导电复合材料；

步骤(1)中有机溶剂Ⅰ为甲苯、二甲苯、三氯甲烷、硝基甲烷、正己烷、氯苯或二氯苯中的一种；所述的有机溶剂Ⅱ为四氢呋喃、丙酮、乙腈或丙醇中的一种，所述的氧化剂为无水三氯化铁或过硫酸铵中的一种；

步骤(1)所述的凹凸棒石与有机溶剂Ⅱ质量之比为0.1～0.3:1，，凹凸棒石与噻吩质量之比为1～4:1，氧化剂与噻吩摩尔比为1～3:1，有机溶剂Ⅰ与有机溶剂Ⅱ质量之比为

0.5～2.0:1。

3.根据权利要求2所述的聚噻吩纳米导电复合材料的制备方法，其特征在于：步骤(1)所述的滴加条件为在温度为0～30℃下，边搅拌边以10～20毫升/分钟的速率滴加，滴加完成后保温2～12h。

4.根据权利要求2所述的聚噻吩纳米导电复合材料的制备方法，其特征在于：步骤(2)所述的碘与凹凸棒石/聚噻吩纳米复合材料质量之比为0.2～0.8:1，反应条件为在温度为

75～150℃条件下保温2～10小时。