1.PMOS嵌入的低压触发用于ESD保护的SCR器件，包括P型衬底（7），P型衬底（7）上设置N阱（6），其特征在于：设有PMOS（30）、第二N+注入区（40）和NMOS（5）；

在N阱（6）上设有第一N+注入区（1）和第一P+注入区（2），第一P+注入区（2）临近N阱（6）和P型衬底（7）的交界处，第一N+注入区（1）接阳极，第一P+注入区（2）接阳极；

在P型衬底（7）上设有第三N+注入区（3）和第二P+注入区（4），第三N+注入区（3）临近N阱（6）和P型衬底（7）的交界处，第三N+注入区（3）接阴极，第二P+注入区（4）接阴极；

第二N+注入区（40）跨接在N阱（6）和P型衬底（7）之间；第二N+注入区（40）作为NMOS（5）的漏，第三N+注入区（3）作为NMOS（5）的源；

PMOS（30）栅接阳极，漏接NMOS（5）的栅，源接阳极，衬底接电路的Vdd；

第二P+注入区（4）衬底设置在第三N+注入区（3）的外边；

第一N+注入区（1）设置在第一P+注入区（2）的外边。