1.一种超薄单晶硅片的直拉制备方法，其特征在于包括如下步骤：（1）把原料多晶硅块放入单晶炉的石英坩埚中；

-2 -3

（2）单晶炉关闭，抽真空到10 -10 Torr，然后冲入高纯氩，保持单晶炉内真空度保持在10~20 Torr；

（3）在单晶炉中，加热融化石英坩埚中的多晶硅原料，单晶炉中加热温度为

1412-1450℃；

（4）当硅熔体的温度稳定以后，将固定在提拉结构上的线状籽晶浸入硅熔体中，保温

5-10min后提拉，提拉结构是由线径为10-30 微米钨丝线组成的钨丝线框，提拉速度在

20-50 mm/min；

（5）提拉结构与液面分开后，升至上炉室冷却20-60min后取出，超薄晶片覆盖在钨丝框上；

（6）开单晶炉取出硅片。

2.如权利要求1所述的一种超薄单晶硅片的直拉制备方法，其特征在于：所述的线状单晶籽晶是通过激光区熔的方法固定在钨丝上，具体如下：将钨丝放在线状单晶籽晶之下，利用激光沿着钨丝方向移动，籽晶熔化，包覆住钨丝，达到了固定籽晶的作用。

3.如权利要求1所述的一种超薄单晶硅片的直拉制备方法，其特征在于：所述的线状单晶籽晶是固定在钨丝线框水平方向上的钨丝上。