1.一种具有复合基板的薄膜电容器的制造方法，依次包括如下步骤：(1)准备如下配比的原料：大于或等于99.98重量％的镍，其余小于或等于0.02重量％为多种杂质，所述多种杂质包括：0.0005-0.0008重量％的锰、0.005-0.008重量％的铝、0.001-0.002重量％的银、0.0005-0.001重量％的铬、0.004-0.006重量％的铁、

0.0005-0.0012重量％的硅、0.001-0.002重量％的锑以及0.001-0.002重量％的钽；

(2)第一次轧制：将上述原料熔融后，对其进行第一次轧制，该第一次轧制所得的镍基板为箔片状，其厚度为3-5毫米；

(3)第一次热退火，步骤(2)所得的镍基板箔片进行第一次热退火，退火温度为

650-800℃，退火时间为60分钟；

(4)第二次轧制，对步骤(3)所得的镍基板箔片进行第二次轧制，第二次轧制后得到厚度更小的箔片，其厚度为1-2毫米；

(5)第二次热退火，将步骤(4)所得的镍基板箔片进行第二次热退火，退火温度为

650-800℃，退火时间为40分钟；

(6)将步骤(5)所得的镍基板贴合到纯度为99.999％的铜基板上进行第三次轧制，轧制后形成厚度为200-300微米的复合基板箔片；

(7)第三次热退火，将步骤(6)所得的复合基板箔片进行第三次热退火，退火温度为

700-800℃，退火时间为30分钟；

(8)按照四方相锆钛酸铅PbZr1-xTixO3的摩尔比例进行配置将氧化铅PbO2、二氧化锆ZrO2和二氧化钛TiO2粉末进行煅烧，从而烧结成PZT靶材；

(9)在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将PZT靶材溅射沉积在步骤(7)所得的复合基板箔片上；从而形成PbZr1-xTixO3电介质层；该电介质层的厚度为1-5微米；

(10)在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将金属材料溅射沉积在所述电介质层上，从而形成电极层，该电极层的厚度为100-200微米；

其中步骤(8)中，x取值是：0.05≤x≤0.85；其中煅烧温度为950℃-1200℃，煅烧时间为2.5-3小时。

2.如权利要求1所述的具有复合基板的薄膜电容器的制造方法，其特征在于：-5

其中，步骤(9)和(10)中，射频磁控溅射反应室的真空度都为10 帕斯卡；而步骤(9)中，射频磁控溅射的射频功率为150-200W，溅射时间为60分钟；步骤(10)中，射频磁控溅射的射频功率100-150W，溅射时间为120分钟。