1.一种薄膜电容器的制造方法，该方法依次包括如下步骤： （1）准备如下配比的原料：大于或等于99.98重量%的镍锭、0.001-0.002重量%的铜、0.0005-0.0008重量%的锰，0.005-0.008重量%的铝、0.0005-0.001重量%的铬，

0.004-0.006重量%的铁、0.0005-0.0012重量%的硅以及0.001-0.002重量%的锑以及

0.001-0.002重量%的钽；

（2）将上述原料熔融后，将其轧制成箔片，然后对该箔片进行退火，从而制成镍基板； （3）按照四方相锆钛酸铅PbZr1-xTixO3的摩尔比例进行配置将氧化铅PbO、二氧化锆ZrO2和二氧化钛TiO2粉末进行煅烧，从而烧结成PZT靶材，其中x取值是：0

0.05≤x≤0.85；

（4）在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将PZT靶材溅射沉积在所述镍基板上，从而形成PbZr1-xTixO3电介质层； （5）在磁控溅射反应室中，利用射频磁控溅射方法，在惰性气体环境中将金属材料溅射沉积在所述电介质层上，从而形成电极层3。

2.如权利要求1所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于： 所述镍基板的厚度为100-300微米，优选为200微米。

3.如权利要求2所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于： 其中步骤（3）中煅烧温度为950℃-1200℃，煅烧时间为2.5-3小时。

4.如权利要求1所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于： 其中，该电介质层2的厚度为1-5微米，优选2微米。

5.如权利要求1所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于： 该电极层3的厚度为100-200微米，优选120微米。

6.如权利要求1所述的薄膜电容器的制造方法，其特征在于： 其中，步骤（4）和（5）中，射频磁控溅射反应室的真空度都为10-5帕斯卡；并且在步骤（4）中，射频磁控溅射的射频功率为150-200W，溅射时 间为60分钟；在步骤（5）中，射频磁控溅射的射频功率100-150W，溅射时间为120分钟。