1.一种具有复合基板的薄膜电容器，其自下往上具有复合基板、电介质层和电极层，其中，复合基板具有双层结构，该双层结构包括铜基板以及形成在该铜基板上的含有微量杂质的镍基板；

其中，所述复合基板通过铜基板与印刷电路板上的铜线路图案结合；

其中，所述铜基板采用高纯度的纯铜来形成，其纯度为99.999％；

其中，镍基板按照重量百分比计，具有如下配比的材料：镍的含量大于或等于99.98重量％；其余小于或等于0.02重量％为多种杂质；所述多种杂质包括：0.0005-0.0008重量％的锰、0.005-0.008重量％的铝、0.001-0.002重量％的银、0.0005-0.001重量％的铬、0.004-0.006重量％的铁、0.0005-0.0012重量％的硅、0.001-0.002重量％的锑以及

0.001-0.002重量％的钽；电介质层为钙钛矿结构的四方相锆钛酸铅PZT薄膜，其中该PZT薄膜的分子式为PbZr1-xTixO3，其中x取值是：0.05≤x≤0.85，该电介质层的厚度为1-5微米；

电极层为金属电极层，该电极层的厚度为100-200微米。