1.一种同相双极性高压比例放大电路，其特征在于：包括第一低压集成运算放大器、第二低压集成运算放大器、NPN型高压晶体三极管、PNP型高压晶体三极管、射极电流信号取样电阻、负载电阻、第一高压电源、第二高压电源；第一低压集成运算放大器构成反相器；

第二低压集成运算放大器构成信号跟随器；NPN型高压晶体三极管和PNP型高压晶体三极管构成推挽输出器；射极电流信号取样电阻的一端连接于NPN型高压晶体三极管发射极和PNP型高压晶体三极管发射极，另一端接公共端，第一高压电源的负端连接于第二高压电源的正端，二者的连接端作为高压输出端子，负载电阻连接于高压输出端子和公共端之间；第一低压集成运算放大器的输出信号送至第二低压集成运算放大器，第一低压集成运算放大器的输出信号电压相位与输入信号电压相位相反，第一低压集成运算放大器的输出信号电压幅度与输入信号电压幅度相等；第二低压集成运算放大器的输出端连接到NPN型高压晶体三极管和PNP型高压晶体三极管的基极上，并从NPN型高压晶体三极管和PNP型高压晶体三极管的射极电流信号取样电阻上取出信号反馈给第二低压集成运算放大器，射极电流信号取样电阻上的信号幅度与第二低压集成运算放大器的输入信号幅度相等、相位相同。

2.根据权利要求1所述的一种同相双极性高压比例放大电路，其特征在于：所述NPN型高压晶体三极管和PNP型高压晶体三极管，NPN型高压晶体三极管的集电极连接于第一高压电源的正端，PNP型高压晶体三极管的集电极连接于第二高压电源的负端，NPN型高压晶体三极管和PNP型高压晶体三极管的发射极共同并接于射极电流信号取样电阻。