1. Native NMOS低压触发的用于ESD保护的SCR器件，包括P型衬底（6），P型衬底（6）上设置N阱（5），其特征在于：在N阱（5）上设有第一P+注入区（1）和第一N+注入区（2），第一N+注入区（2）临近N阱（5）和P型衬底（6）的交界处；在P型衬底（6）上设有第二P+注入区（3）和第二N+注入区（4），第二P+注入区（3）临近N阱（5）和P型衬底（6）的交界处；第一P+注入区（1）接阳极，第二N+注入区（4）接阴极；Native NMOS（30）源接第一N+注入区（2），Native NMOS（30）漏接第二P+注入区（3），Native NMOS（30）衬底接电路的Vss；所述的Native NMOS的结构是在p型衬底上直接设置两个N+注入区，此Native NMOS管子不需要Pwell，其开启电压为负值。

2.如权利要求1所述的Native NMOS低压触发的用于ESD保护的SCR器件，其特征在于：由第一P+注入区（1）、N阱（5）、P型衬底（6）和第二N+注入区（4）构成SCR通路。