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专利号: 2013101581252
申请人: 大连交通大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 测量;测试
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种用于测量瞬态温度的针状同轴薄膜热电偶,其特征在于:包括针状测量端和热电极和绝缘层构成的热电偶同轴结构;测量端(10)包括热电极一(1)及薄膜镀层(8),薄膜镀层(8)在热电偶同轴结构的针状顶面上;所述的热电极一(1)上覆盖绝缘层(2),绝缘层(2)与热电极二(3)之间用胶体(4)粘接,薄膜镀层(8)与导线状的热电极(1)连接形成热电偶热接点,所述热电偶热接点是测量端(10);引线一(5)连接热电极一(1),引线二(6)连接热电极二(3);测量端(10)将测量到的温度信号转化为电信号通过导线输送到冷端补偿与信号调理模块及计算机测试系统中。

2.根据权利要求1所述的一种用于测量瞬态温度的针状同轴薄膜热电偶,其特征在于:薄膜镀层是镍铬合金材料。

3.根据权利要求1所述的一种用于测量瞬态温度的针状同轴薄膜热电偶,其特征在于:引线一(5)和导线状的热电极一(1)由材料为镍硅合金料制成。

4.根据权利要求1所述的一种用于测量瞬态温度的针状同轴薄膜热电偶,其特征在于:引线二(6)和薄壁管状的热电极二(3)由镍铬合金材料制成。

5.一种用于测量瞬态温度的针状同轴薄膜热电偶,其特征在于:测量端的薄膜镀层(8)采用磁控溅射方法将与薄壁管状的热电极二(3)材料相同的靶材溅射到所述热电偶同轴结构的针状顶面上形成一层微米级别厚度的薄膜镀层(8),从而与所述导线状的热电极一(1)接触形成热电偶热接点;溅射薄膜时,按照薄膜制备的要求,通过抛光、清洗后,将所述热电偶的同轴结构放入真空设备中完成薄膜制备;引线一(5)采用与导线状的热电极一(1)材料相同的导线,引线二(6)采用和薄壁管状的热电极二(3)材料相同的导线,采用热压结合法将其一一对应的连接到热电极一和热电极二上。

6.一种用于测量瞬态温度的针状同轴薄膜热电偶,其特征在于:采用绝缘套筒7将热电偶同轴结构绝缘封装。