1.全固态调Q倍频无衍射激光器，其特征在于：包括光学平台、连续式输出808nm波长光束的半导体激光器、聚焦透镜、平面镜一、能够吸收808nm波长泵浦光并输出1064nm波长光束的工作物质、适用于1064nm波段的调Q晶体、适用于1064nm波长倍频的倍频晶体、平面镜二和轴棱锥，上述半导体激光器、聚焦透镜、平面镜一、工作物质、调Q晶体、倍频晶体、平面镜二和轴棱锥依次支撑定位于光学平台上；

其中，半导体激光器与工作物质之间相距9cm，平面镜一与平面镜二之间相距12.5cm；

平面镜一镀有三层膜，分别为808nm波长光束的高透膜、1064nm波长光束的全反膜和

532nm波长光束的全反膜；

平面镜二镀有三层膜，分别为808nm波长光束的全反膜、1064nm波长光束的全反膜和

532nm波长光束40％透过率的部分反射膜。

2.根据权利要求1所述的全固态调Q倍频无衍射激光器，其特征在于：上述工作物质采用掺钕钒酸钇晶体或掺钕钇铝石榴石晶体。

3.根据权利要求1所述的全固态调Q倍频无衍射激光器，其特征在于：上述调Q晶体

4+

采用Cr :YAG晶体或BND染料片。

4.根据权利要求1所述的全固态调Q倍频无衍射激光器，其特征在于：上述倍频晶体采用磷酸氧钛钾晶体或偏硼酸钡晶体。

5.根据权利要求1所述的全固态调Q倍频无衍射激光器，其特征在于：上述轴棱锥的底角为0.5°-2°。