1.一种铜铟镓硒太阳电池器件的制备方法，所述铜铟镓硒太阳电池器件为基于聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的铜铟镓硒太阳电池，由玻璃、聚酰亚胺、钼背接触层、铜铟镓硒吸收层、硫化镉缓冲层、透明窗口层高阻本征氧化锌薄膜、透明窗口层低阻氧化锌铝薄膜和铝上电极组成并形成叠层结构，其中衬底由苏打玻璃及生长于其表面的聚酰亚胺膜构成，苏打玻璃的厚度为1.5-2mm，聚酰亚胺膜厚度为25-30μm；钼背接触层包括高阻层薄膜和低阻层薄膜，其中高阻层薄膜的厚度为80-120nm，低阻层薄膜的厚度为600-700nm；铜铟镓硒吸收层的化学分子式为CuIn1-xGaxSe2，式中x为0.25-0.35，导电类型为p型，薄膜厚度为

1.5-2μm；硫化镉缓冲层的的导电类型为n型，厚度为45-50nm；透明窗口层包括高阻本征氧化锌薄膜和低阻氧化锌铝薄膜，导电类型为n型，本征氧化锌薄膜的厚度为50-100nm，氧化锌铝薄膜的厚度为0.4-0.6μm；铝上电极薄膜的厚度为0.8-1.5μm；所述铜铟镓硒太阳电池器件的制备方法是，首先将聚酰亚胺胶涂于苏打玻璃表面，固化成聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底，其次在其表面依次制备钼背接触层、铜铟镓硒吸收层、硫化镉缓冲层、透明窗口层和上电极，在完整的铜铟镓硒太阳电池制备完成后，将其与苏打玻璃衬底分离，得到以聚酰亚胺膜为衬底的柔性铜铟镓硒太阳电池，其特征在于：所述聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底的制备方法，步骤如下：

1)对苏打玻璃进行表面清洗，清洗方法是：

首先将10cm×10cm的苏打玻璃放入重铬酸钾溶液中浸泡2h，重铬酸钾溶液由300克重铬酸钾、3升浓硫酸和300毫升去离子水配置而成，将苏打玻璃取出用去离子水冲洗后置于浓度为99.5w％的丙酮溶液中，放入超声波清洗机中清洗，超声波频率为20-30kHz，时间为

20-25min，然后将苏打玻璃从丙酮溶液中取出，用去离子水冲洗后置于浓度为99.7w％的酒精中，放入超声波清洗机中清洗超声波频率为20-30kHz，时间为20-25min，最后将苏打玻璃从酒精中取出，放入盛有去离子水的烧杯中，放入超声波清洗机中清洗3遍，超声波频率为20-30kHz，时间为20-25min；

2)将聚酰亚胺胶涂覆于苏打玻璃表面，采用匀胶工艺进行匀胶，工艺参数为：转速为

1300-1500r/min，时间为35-45s；

3)将匀胶后的样品放入烘箱内进行固化，即可得到聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底，所述固化工艺的升温保温程序为：烘箱温度升温至125-135℃，升温时间为10-15min，并在125-135℃下维持25-30min；将烘箱温度升温至150-160℃，升温时间为5-10min，并在150-160℃下维持10-15min；将烘箱温度升温至200-210℃，升温时间为5-10min，并在200-210℃下维持15-20min；将烘箱温度升温至250-260℃，升温时间为5-10min，并在250-260℃下维持15-20min；将烘箱温度升温至340-350℃，升温时间为5-10min，并在

340-350℃下维持10-15min，然后缓慢降温至18-25℃，即可得到聚酰亚胺膜-苏打玻璃复合衬底；

所述铜铟镓硒吸收层薄膜的制备方法，采用硒化炉薄膜制备系统和共蒸发改进型富铜一步法制备工艺，步骤如下：

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1)将待制备样品置于共蒸发系统中，在本底真空为3.0×10 Pa、衬底温度为

350-400℃下，共蒸发In、Ga、Se高Ga含量预制层，其中In蒸发源温度为820-850℃，Ga蒸发源温度为920-950℃，Se蒸发源温度为240-280℃，蒸发时间为2-3min，控制In/Ga的原子比例为0.3:0.7，(In+Ga)/Se的原子比例为2:3；

2)衬底温度为550-580℃下，共蒸发Cu、Se，其中Cu蒸发源温度为1120-1160℃，Se蒸发源温度为240-280℃，蒸发时间为2-3min，控制Cu/(In，Ga)的原子比例为3:2；

3)衬底温度为550-580℃，共蒸发Cu、In、Ga、Se，其中Cu蒸发源温度为1120-1160℃，In蒸发源温度为850-900℃，Ga蒸发源温度为880-920℃，Se蒸发源温度为240-280℃，蒸发时间为25-30min，控制In/Ga的原子比例为0.7:0.3，Cu/(In+Ga)的原子比例为4:5，(In+Ga)/Se的原子比例为2:3；

4)将衬底冷却，当蒸发Se的同时将衬底冷却到350℃时的衬底温度时，关闭Se蒸发源，再将衬底冷却至18-25℃即可。