1.一种水热法制备Sm2O3纳米阵列的方法，其特征在于，包括以下步骤：

3+

步骤一：将分析纯SmCl3·6H2O加入30mL去离子水中，搅拌制得Sm 浓度为0.05～

0.20mol/L的透明溶液；

步骤二：用氨水溶液将上述透明溶液的pH调节至4.5～5.5，搅拌后形成溶胶，向其中加入0.2～1.2mL聚乙烯醇水溶液，搅拌均匀后作为镀膜液；

步骤三：在清洗干净的ITO导电玻璃基板表面均匀涂覆一层镀膜液后，置于高温干燥箱中，先于50～70℃下烘干，再于300～500℃高温下热处理1～3h；

3+

步骤四：将分析纯SmCl3·6H2O加入去离子水中，搅拌制得Sm 浓度为0.01～0.15mol/L的透明溶液，再用5%的氨水溶液将上述透明溶液的pH调至5.0～5.8作为生长液；

步骤五：将上述生长液倒入水热釜中，填充度控制在60％～80%，将经过热处理后的ITO导电玻璃基板浸入其中，密封水热釜，放入电热真空干燥箱中，在120～240℃下反应

6～45h，反应结束后自然冷却至室温；

步骤六：打开水热釜，取出基板，分别用去离子水和无水乙醇冲洗后置于50～80℃的真空干燥箱内干燥，即在基板表面获得Sm2O3纳米阵列。

2.如权利要求1所述的水热法制备Sm2O3纳米阵列的方法，其特征在于：所述的搅拌采用磁力搅拌器。

3.如权利要求1所述的水热法制备Sm2O3纳米阵列的方法，其特征在于：所述的氨水溶液的质量浓度为5%。

4.如权利要求1所述的水热法制备Sm2O3纳米阵列的方法，其特征在于：所述和聚乙烯醇水溶液的质量浓度为5%。

5.如权利要求1所述的水热法制备Sm2O3纳米阵列的方法，其特征在于：所述的涂覆采用提拉镀膜机。

6.如权利要求1所述的水热法制备Sm2O3纳米阵列的方法，其特征在于：所述步骤六的冲洗次数为3～5次。