1.一种溶剂热法制备Sm2O3纳米阵列的方法，其特征在于包括以下步骤：

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步骤一：将分析纯的Sm(NO3)3·6H2O加入到30mL的乙二醇中制得Sm 浓度为0.01～

0.20mol/L的透明溶液A；

步骤二：采用质量百分比为5％的氨水溶液调节透明溶液A的pH调节至5.0～6.0，搅拌形成溶胶，再向溶胶中加入0.3～1.5mL质量浓度为5％的聚乙烯醇水溶液，搅拌均匀得到镀膜液；

步骤三：采用提拉镀膜机在清洗干净的单晶硅基板表面均匀涂覆一层镀膜液后，置于高温干燥箱中，先于50～70℃下烘干1～3h，再于300～500℃热处理1～3h；

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步骤四：将分析纯Sm(NO3)3·6H2O加入乙二醇中制成Sm 浓度为0.01～0.20mol/L的透明溶液B，然后采用质量百分比为5％的氨水溶液调节透明溶液B的pH为5.5～7.0得到生长液；

步骤五：将生长液倒入水热反应釜中，填充度控制在50％～60％，将经步骤三处理后的硅基板浸入其中，密封反应釜，放入电热真空干燥箱中，在150～220℃下反应12～48h，反应结束后自然冷却至室温；

步骤六：打开反应釜，取出基板，分别用去离子水和无水乙醇冲洗3～5次，置于50～

80℃的真空干燥箱内干燥即在基板表面获得Sm2O3纳米阵列。

2.根据权利要求1所述的溶剂热法制备Sm2O3纳米阵列的方法，其特征在于：所述步骤一将分析纯的Sm(NO3)3·6H2O加入到30mL的乙二醇中在磁力搅拌器上搅拌溶解。