1.一种溶胶-凝胶法制备Sm2O3纳米阵列的方法，其特征在于包括以下步骤：

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步骤一：将分析纯的Sm(NO3)3·6H2O加入30mL去离子水中搅拌制得Sm 浓度为0.01～

0.25mol/L的透明溶液；

步骤二：采用氨水溶液调节透明溶液的pH值至4.5～7.0后搅拌形成溶胶，再向溶胶中加入0.5～2.0mL的聚乙烯醇水溶液，搅拌均匀；

步骤三：将孔径为20～80nm，模板直径为Φ25～50mm，纳米孔径长度为10～20μm的AAO模板用上述溶胶充分浸润，并与清洗干净的ITO导电玻璃基板粘结后，置于高温干燥箱中，在60～80℃下干燥使溶胶缓慢失水变成凝胶，再于300～400℃下热处理1～3h后随炉冷却；

步骤四：用砂纸打磨AAO模板表面，去离子水洗涤后用4mol/L的NaOH溶液腐蚀去除模板，再用去离子水和无水乙醇洗涤，即在ITO导电玻璃基板表面获得Sm2O3纳米阵列。

2.根据权利要求1所述的溶胶-凝胶法制备Sm2O3纳米阵列的方法，其特征在于：所述步骤一的搅拌采用磁力搅拌器。

3.根据权利要求1所述的溶胶-凝胶法制备Sm2O3纳米阵列的方法，其特征在于：所述氨水溶液的质量浓度为5％。

4.根据权利要求1所述的溶胶-凝胶法制备Sm2O3纳米阵列的方法，其特征在于：所述聚乙烯醇水溶液的质量浓度为5%。

5.根据权利要求1所述的溶胶-凝胶法制备Sm2O3纳米阵列的方法，其特征在于：所述砂纸采用(16±1)μm(1500目)细。

6.根据权利要求1所述的溶胶-凝胶法制备Sm2O3纳米阵列的方法，其特征在于：所述去离子水和无水乙醇洗涤3～5次。