1.一种低功耗可变增益放大器，其特征在于：包括差分共源极放大单元、可变负载电阻阵列Rd1～Rd(n-1)、第一数字控制开关阵列A1～An-1、第二数字控制开关阵列 可变电流源阵列I1～In-1、可变源级反馈电阻阵列Rs1～Rs(n-1)、开关阵列K1～Kn-1、固定电流源I0和ISS、固定电阻Rd0和Rs0，所述差分共源极放大单元，包括并联的第一差分放大管M1和第二差分放大管M2,用于接收并放大差分信号，

所述可变负载电阻阵列Rd1～Rd(n-1)和固定电阻Rd0串联后连接在电源电压VDD和差分共源极放大单元的漏极之间，可变负载电阻阵列Rd1～Rd(n-1)中的有效接入电阻值由第一数字控制开关阵列A1～An-1所控制，所述可变电流源阵列I1～In-1，连接在电源电压VDD和差分共源极放大单元的漏极之间，该可变电流源阵列I1～In-1的电流源由第二数字控制开关阵列 所控制，第二数字控制开关阵列 与第一数字控制开关阵列A1～An-1开关状态相反，即若开关A1导通，则开关 断开；若开关A1断开，则开关 导通，所述可变源级反馈电阻阵列Rs1～Rs(n-1)中每个电阻和固定电阻Rs0并联后连接在第一差分放大管M1的源极和第二差分放大管M2的源极之间，可变源级反馈电阻阵列Rs1～Rs(n-1)中的有效接入电阻值由开关阵列K1～Kn-1所控制，所述固定电流源I0连接在电源电压VDD和差分共源极放大单元的漏极之间，所述固定电流源ISS连接在差分共源极放大单元的源极和接地电压之间，

所述可变增益放大器输出共模电压满足以下条件式：

其中 为第一数字控制开关阵列A1,A2…An-1的开关状态，若第一数字控制开关

阵列A1,A2…An-1全部导通，则 的值均为0；若第一数字控制开关阵列A1,A2…

An-1全部断开，则 的值均为1；B1,B2…Bn-1为第二数字控制开关阵列

的开关状态，若第二数字控制开关阵列 全部导通，则B1,B2…

Bn-1的值均为1；若第二数字控制开关阵列 全部断开，则B1,B2…Bn-1的值均为

0；且 和A1,A2…An-1互为逻辑相反信号，即A1若导通，则 关断，A1若关断，则导通；VC表示设计所期望的输出共模电压值。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗可变增益放大器，其特征在于：所述可变负载电阻阵列Rd1～Rd(n-1)由n-1个电阻串联，由所述数字控制开关阵列A1～An-1来控制使对应的每个电阻Rd1，Rd2……，Rd(n-1)被短路或被接入负载，从而改变负载的电阻值。

3.根据权利要求2所述的一种低功耗可变增益放大器，其特征在于：所述可变源级反馈电阻阵列Rs1～Rs(n-1)由n-1个电阻并联，其中每一个电阻的一端连接到所述第一差分放大管M1的源极，所述每一个电阻的另一端连接到所述第二差分放大管M2的源极，开关阵列K1～Kn-1中的开关K1与电阻Rs1串联，开关K2与电阻Rs2串联，……，开关Kn-1与电阻Rs(n-1)串联，从而通过开关阵列K1～Kn-1中的开关K1，K2……，Kn-1断开和导通，来改变接入源极的电阻值。

4.根据权利要求3所述的一种低功耗可变增益放大器，其特征在于：取n＝2，则可变负载电阻阵列Rd1～Rd(n-1)包括电阻Rd1，则负载电阻包括电阻Rd0和电阻Rd1，所述电阻Rd0包括对称的两部分，分别为电阻A_Rd0和电阻B_Rd0，且电阻Rd0电阻值＝电阻A_Rd0电阻值＝电阻B_Rd0电阻值，所述电阻A_Rd0为电阻R5，所述电阻B_Rd0为电阻R6，所述电阻Rd1包括对称的两部分，分别为电阻A_Rd1和电阻B_Rd1，且电阻Rd1电阻值＝电阻A_Rd1电阻值＝电阻B_Rd1电阻值，所述电阻A_Rd1为电阻R7，所述电阻B_Rd1为电阻R8，所述电阻R7和电阻R5串联，电阻R7的另一端与电源电压VDD连接，电阻R5的另一端与第一差分放大管M1的漏极连接，所述电阻R8和电阻R6串联，电阻R8另一端与电源电压VDD连接，电阻R6另一端与第二差分放大管M2的漏极连接，所述第一数字控制开关阵列A1～An-1包括数字控制开关A1，所述数字控制开关A1由开关管M13和开关管M14组成，所述开关管M13、开关管M14的源极分别与电源电压VDD连接，所述开关管M13、开关管M14的栅极分别外接数字控制信号AD1，所述开关管M13的漏极接于电阻R5和电阻R7的共同连接端，所述开关管M14的漏极接于电阻R6和电阻R8的共同连接端，所述第二数字控制开关阵列 包括数字控制开关 所述数字控制开关 由开关管M12和COMS传输门组成，所述开关管M12的源极与电源电压VDD连接，所述开关管M12漏极分别与电流源管M10和电流源管M11的栅极连接，同时与CMOS传输门一端连接，所述COMS传输门由开关管M19和开关管M20并联构成，所述COMS传输门一端与晶体管M9的栅极连接，另一端与开关管M12的漏极、电流源管M10和电流源管M11的栅极连接，所述开关管M12、COMS传输门开关管M20的栅极均外接数字控制信号AD1，所述COMS传输门开关管M19的栅极外接数字控制信号AD1_N，数字控制信号AD1和数字控制信号AD1_N互为逻辑相反信号，所述可变电流源阵列I1～In-1包括电流源I1，所述电流源I1包括对称的两部分，分别为电流A_I1和电流B_I1,且电流I1电流值＝电流A_I1电流值＝电流B_I1电流值，所述电流A_I1由电流源管M10与晶体管M7、M8和M9镜像基准电流IREF构成，所述电流B_I1由电流源管M11与晶体管M7、M8和M9镜像基准电流IREF构成，所述晶体管M7和M8的源极接地，所述晶体管M7的栅极以及晶体管M8的漏极和栅极接镜像基准电流IREF，所述晶体管M7的漏极接晶体管M9的漏极和栅极，所述晶体管M9的源极接电流源管M10和M11的源极，所述电流源管M10和电流源管M11的栅极均与所述COMS传输门一端连接，所述电流源管M10和电流源管M11的源极均与电源电压VDD连接，所述电流源管M10和电流源管M11的漏极分别与所述电流源管M3和电流源管M4的漏极连接，所述固定电流源I0包括对称的两部分分别为电流A_I0和电流B_I0,且电流I0电流值＝电流A_I0电流值＝电流B_I0电流值,所述电流A_I0由电流源管M3与晶体管M7、M8和M9镜像基准电流IREF构成，所述电流B_I0由电流源管M4与晶体管M7、M8和M9镜像基准电流IREF构成，所述电流源管M3和电流源管M4的源极均与电源电压VDD连接同时均与晶体管M9的源极连接，所述电流源管M3和电流源管M4的栅极通过所述CMOS传输门与电流源管M9的栅极和漏极连接， 此时，所述可变增益放大器输出共模电压满足以下条件式：

当数字控制信号AD1＝0，AD1_N＝1时，开关管M13和开关管M14导通，即数字控制开关A1导通，电阻R7和电阻R8被短路，即可变负载电阻阵列Rd1～Rd(n-1)中的负载Rd1被短路，此时总的负载电阻为Rd0，总的负载电阻值＝电阻R5的电阻值＝电阻R6的电阻值；同时，开关管M12导通，CMOS传输门断开，电流源管M10、电流源管M11的栅极通过开关管M12连接到电源电压VDD而被拉高到电源电压VDD，因此电流源管M10、电流源管M11断开，即数字控制开关 断开，可变电流源阵A_I1和B_I1断开，并且由于固定电流源A_I0和B_I0接入电路，所以流过负载电阻R5、电阻R6的电流分别为Iss-A_I0和Iss-B_I0，并且Iss-A_I0＝Iss-B_I0；

此时，数字控制开关A1导通，即 数字控制开关 断开，即B1＝0，代入到上述条件式 中得到：

VC＝VDD-[(ISS-I0)×(Rd0)]

当数字控制信号AD1＝1，AD1_N＝0时，开关管M13和开关管M14断开，即数字控制开关A1断开，此时可变负载电阻阵列Rd1～Rd(n-1)中的有效接入电阻Rd1，总的负载电阻为电阻Rd1与电阻Rd0串联，总的负载电阻值＝电阻R5电阻值+电阻R7电阻值＝电阻R6电阻值+电阻R8电阻值；同时，开关管M12断开，CMOS传输门导通，电流源管M10、电流源管M11的栅极与晶体管M9的栅极相连，构成电流镜，即数字控制开关 导通，可变电流源阵列A_I1和B_I1被接入电路，此时流过负载电阻Rd1与电阻Rd0的电流分别为为Iss-A_I0-A_I1和Iss-B_I0-B_I1，且有Iss-A_I0-A_I1＝Iss-B_I0-B_I1；

此时，数字控制开关A1断开，即 数字控制开关 导通，即B1＝1，代入到上述条件式 中得到：

VC＝VDD-[(ISS-I0-I1)×(Rd0+Rd1)]

从而VDD-[(ISS-I0-I1)×(Rd0+Rd1)]＝VDD-[(ISS-I0)×(Rd0)]＝Vc，通过设计合理的电流源I1和电阻Rd1的值，保证可变增益放大器输出共模电压保持恒定。