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专利号: 2013103040044
申请人: 陕西师范大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 晶体生长〔3〕
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种提高单畴钇钡铜氧超导块材制备效率的方法,其特征在于它由下述步骤组成:(1)配制固相先驱粉

将Y2O3与BaO、CuO按摩尔比为1:1.0~2.0:1.0~2.0球磨混合均匀,作为固相先驱粉;

(2)配制液相先驱粉

将Y2O3与BaO、CuO按摩尔比为1:10:16球磨混合均匀,作为液相先驱粉;

(3)压制固相先驱块和液相先驱块

向固相先驱粉和液相先驱粉中分别加入其质量4%的去离子水,各自混合均匀,液相先驱粉与固相先驱粉的质量比为1:0.42,分别压制成圆柱体状的固相先驱块和液相先驱块,固相先驱块的直径小于液相先驱块的直径;

(4)压制支撑块

将Yb2O3压制成直径不小于液相先驱块直径的圆柱体状支撑块;

(5)装配坯体

在Al2O3垫片上表面从下至上依次放置MgO单晶、支撑块、液相先驱块、固相先驱块、钕钡铜氧籽晶,装配成坯体;

(6)顶部籽晶金属氧化物熔渗生长单畴钇钡铜氧块材将装配好的坯体放入管式炉中,以每小时100℃的升温速率升温至910℃,保温15小时,再以每小时130℃的升温速率升温至1045℃,保温2小时,然后以每小时60℃的降温速率降温至1012℃,以每小时1℃的降温速率慢冷至1008℃,以每小时0.2℃的降温速率慢冷至985℃,随炉自然冷却至室温,得到单畴钇钡铜氧块材;

(7)渗氧处理

将单畴钇钡铜氧块材置于管式炉中,在流通氧气气氛、440~410℃的温区中慢冷200小时,得到单畴钇钡铜氧超导块材。

2.根据权利要求1所述的提高单畴钇钡铜氧超导块材制备效率的方法,其特征在于:所述的配制固相先驱粉步骤(1)中,将Y2O3与BaO、CuO按摩尔比为1:1.4:1.4球磨混合均匀,作为固相先驱粉。