1.一种降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法，其特征在于它由下述步骤组成：（1）压制先驱块

将Gd2O3与无水BaO、CuO按摩尔比为1:2～3.5:2.67～5.17球磨混合均匀，加入混合物总质量3%～5%的去离子水，混合均匀，压制成圆柱体状先驱块；

（2）压制支撑块

将Yb2O3粉压制成直径不小于先驱块直径的圆柱体状支撑块；

（3）坯体装配

在Al2O3垫片上表面至下而上依次放置MgO单晶片、支撑块、先驱块、钕钡铜氧籽晶块，装配成坯体；

（4）顶部籽晶金属氧化物熔化生长单畴钆钡铜氧块材将装配好的坯体放入管式炉中，以每小时100～150℃的升温速率升温至900℃，保温

18～24小时，再以每小时40～80℃的升温速率升温至1055～1065℃，保温1～2.5小时，然后以每小时60℃的降温速率降温至1033～1038℃，以每小时0.5～1℃的降温速率慢冷至1028～1032℃，以每小时0.1～0.3℃的降温速率慢冷至1010～1020℃，随炉自然冷至室温，得到单畴钆钡铜氧块材；

（5）渗氧处理

将单畴钆钡铜氧块材置入石英管式炉中，在流通氧气气氛、410～330℃的温区中慢冷

200小时，得到单畴钆钡铜氧超导块材。

2.根据权利要求1所述的降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法，其特征在于：在压制先驱块步骤（1）中，将Gd2O3与无水BaO、CuO按摩尔比为1:2.67:3.78球磨混合均匀，加入混合物总质量3%～5%的去离子水，混合均匀，压制成圆柱体状先驱块。

3.根据权利要求1所述的降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法，其特征在于：在坯体装配步骤（3）中，所述的MgO单晶片是等高的3～5片MgO单晶片。

4.根据权利要求1所述的降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法，其特征在于：所述支撑块的直径与先驱块的直径相同。

5.根据权利要求1所述的降低单畴钆钡铜氧超导块材成本的制备方法，其特征在于：在顶部籽晶金属氧化物熔化生长单畴钆钡铜氧块材步骤（4）中，将装配好的坯体放入管式炉中，以每小时120℃的升温速率升温至900℃，保温20小时，再以每小时60℃的升温速率升温至1060℃，保温2小时，然后以每小时60℃的降温速率降温至1035℃，以每小时0.5℃的降温速率慢冷至1030℃，以每小时0.2℃的降温速率慢冷至1015℃，随炉自然冷至室温，得到单畴钆钡铜氧块材。