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专利号: 2013103065592
申请人: 华侨大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种用于杂化太阳电池的类钙钛矿敏化光阳极的制备方法,其特征在于:所述制备方法如下:首先在透明导电基板上制备由宽禁带半导体氧化物纳米材料构成的亚微米厚薄膜,然后用离子交换法在薄膜中沉积卤化铅PbCl2或PbBr2或PbI2中的至少一种,最后用浸渍法使沉积的卤化铅与有机卤化铵盐反应,在薄膜中原位生成有机无机类钙钛矿,获得类钙钛矿敏化的光阳极;

用离子交换法将卤化铅PbCl2或PbBr2或PbI2中的至少一种沉积到宽禁带半导体氧化物

2+ - - -

纳米材料薄膜中,其中Pb 离子由(CH3COO)2Pb或Pb(NO3)2的醋酸溶液提供,Cl、Br或I分别由NaCl、NaBr或NaI的乙醇或乙醇-水混合溶液提供;将所述Pb2+与Cl-或Br-或I-中的至少一种依次吸附到薄膜中,两种离子接触后生成难溶的卤化铅。

2.如权利要求1所述的一种用于杂化太阳电池的类钙钛矿敏化光阳极的制备方法,其特征在于:所述有机卤化铵盐由烷基伯胺或含胺基的有机物与HCl、HBr或HI反应生成。

3.如权利要求1所述的一种用于杂化太阳电池的类钙钛矿敏化光阳极的制备方法,其特征在于:所述浸渍法如下:先将有机卤化铵盐溶解在极性-非极性混合有机溶剂中形成饱和溶液,将附着有所述卤化铅的薄膜浸入该饱和溶液中,使得所述卤化铅与有机卤化铵盐反应,在薄膜中原位生成有机无机类钙钛矿,即得类钙钛矿敏化的光阳极;其中,所述非极性有机溶剂是所生成的有机无机类钙钛矿的非溶剂,极性溶剂是易溶解有机卤化铵盐的极性溶剂;且所述极性-非极性混合有机溶剂难溶解所生成的有机无机类钙钛矿。

4.根据权利要求3所述的一种用于杂化太阳电池的类钙钛矿敏化光阳极的制备方法,其特征在于:所述非极性有机溶剂为苯、甲苯、环己烷中的至少一种,所述极性溶剂为甲醇、乙醇、异丙醇、二甲亚砜、N-甲基吡咯烷酮中的至少一种。

5.根据权利要求3或4所述的一种用于杂化太阳电池的类钙钛矿敏化光阳极的制备方法,其特征在于:所述极性有机溶剂与非极性有机溶剂的体积比值为1/3~1/10。

6.如权利要求1所述的一种用于杂化太阳电池的类钙钛矿敏化光阳极的制备方法,其特征在于:所述宽禁带半导体氧化物纳米材料为TiO2、SnO2或ZnO。

7.如权利要求1所述的一种用于杂化太阳电池的类钙钛矿敏化光阳极的制备方法,其特征在于:所述宽禁带半导体氧化物纳米材料构成的亚微米厚薄膜,具体为0.1~1微米厚。