1.基于冷阴极产生径向电子束的无箔二极管，其特征在于，包括由圆柱导体构成的阴极支撑杆（1），一侧下方与阴极支撑杆（1）相连、由圆盘导体构成的发射盘，位于发射盘正上方的径向传输线（4），分别连接于径向传输线（4）与发射盘距离最近一端两侧的第一阳极壁（2）和第二阳极壁（8），位于发射盘外侧、一端与第一阳极壁（2）或第二阳极壁（8）连接径向传输线（4）一端相对的另一端相连的第三阳极壁（9），所述径向传输线（4）、第一阳极壁（2）、第二阳极壁（8）和第三阳极壁（9）均由导体构成。

2.根据权利要求1所述的基于冷阴极产生径向电子束的无箔二极管，其特征在于，所述发射盘上方的左右两侧连接有呈倒弧结构的圆盘导体（7）。

3.根据权利要求2所述的基于冷阴极产生径向电子束的无箔二极管，其特征在于，所述径向传输线（4）的中心线和发射盘的中心线重合。

4.根据权利要求3所述的基于冷阴极产生径向电子束的无箔二极管，其特征在于，所述径向传输线（4）与第一阳极壁（2）、第二阳极壁（8）之间分别通过倒弧（3）连接。

5.根据权利要求4所述的基于冷阴极产生径向电子束的无箔二极管，其特征在于，所述第一阳极壁（2）、第二阳极壁（8）和第三阳极壁（9）与阴极支撑杆（1）和发射盘之间存在间隙，它们之间的间隙满足阴极支撑杆（1）和圆盘导体（7）的表面场强值小于金属导体的发射阈值且发射盘表面的场强值大于其材料的发射阈值。

6.根据权利要求5所述的基于冷阴极产生径向电子束的无箔二极管，其特征在于，所述径向传输线（4）由两个相互平行的导体构成，第一阳极壁（2）和第二阳极壁（8）通过倒弧（3）分别与构成径向传输线（4）的两个导体垂直连接，第三阳极壁（9）与第一阳极壁（2）或第二阳极（8）垂直相接。