1.一种CuO/CoTiO3复合气敏薄膜的制备方法，其特征在于：

1）以分析纯的TiO2和Co3O4为原料，分别与粘结剂混合，在50MPa-100MPa，200℃-700℃下预烧，制备出TiO2靶材和Co3O4靶材，并将TiO2靶材和Co3O4靶材分别放入磁控溅射仪的两个射频靶位中，将纯度为99.99%的Cu靶放入直流溅射靶位；

2）将干净的Si基片放入磁控溅射仪的镀膜样品台上，通过真空系统将镀膜室和样品-4 -4

室内抽真空，当真空度达到1.0×10 Pa-9.9×10 Pa时，镀膜室通入Ar气，控制Ar气流量在10sccm-30sccm，使镀膜室和样品室内压强为0.2Pa-2Pa；

3）设置两射频靶电源功率为100-400W，并且使溅射出的Ti，Co原子摩尔比为1︰（0.5-2），同时调节直流靶功率为20W-200W，溅射10min-90min后将溅射得到的前驱体薄膜放入马弗炉中控制煅烧温度在300℃-700℃，煅烧0.5h-3h，随炉冷却得到最终产物。

2.根据权利要求1所述的CuO/CoTiO3复合气敏薄膜的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射仪的靶材与基片之间安装有挡板，在步骤3）中先预溅射15min-30min后，移开靶材和基片的挡板，开始向基片镀膜。

3.根据权利要求1所述的CuO/CoTiO3复合气敏薄膜的制备方法，其特征在于：所述的Si基片先在无水乙醇中超声清洗10min，然后置于H2O2和浓H2SO4混合溶液中浸泡10min，最后用去离子水超声清洗10min取出N2吹干，所述的H2O2与浓H2SO4的体积比为1︰（1-4）。