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专利号: 201310503425X
申请人: 山东师范大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 基本电气元件
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.三明治式石墨烯饱和吸收体的制备方法,其特征是,具体结构包括底层衬底材料、底层衬底材料上覆有的石墨烯层和上层衬底材料,三层紧密接触呈三明治式结构,三明治式结构外周有密封胶均匀涂覆层;具体制备方法包括步骤如下:(1)在Cu箔上沉积单层的石墨烯薄膜;

(2)湿法转移:将沉积有石墨烯的Cu箔剪切成正方形,在其上均匀旋涂PMMA,烘干,然后放入FeCl3溶液中室温浸泡,直到石墨烯与PMMA膜从Cu基底上脱落,并将Cu腐蚀完全,将石墨烯与PMMA膜迁移到去离子水溶液中漂洗5-50min后迁移到透明衬底上,待自然干燥后烘干;将烘干的PMMA与石墨烯及透明衬底置于丙酮溶液中,直到PMMA去除干净,然后利用乙醇清洗并自然干燥;

(3)取相同的衬底材料置于附有石墨烯的衬底材料之上,压紧,排除衬底材料之间的空气,将密封胶均匀的涂覆在衬底材料周围,制成三明治式的石墨烯饱和吸收体。

2.根据权利要求1所述的三明治式石墨烯饱和吸收体的制备方法,其特征是,所述的衬底材料为石英、蓝宝石或玻璃透明材质。

3.根据权利要求1所述的三明治式石墨烯饱和吸收体的制备方法,其特征是,步骤(1)在Cu箔上沉积单层的石墨烯薄膜的具体步骤为:将Cu箔置于石英管恒温区,将石英管密-4封后,将石英管内的气压抽至极限真空状态1-4×10 帕,同时加热将温度升至生长温度

800-1100℃;达到生长温度后通入氢气退火1-30分钟,之后通入甲烷或乙炔碳源气体;生长10-100分钟时间后,关闭碳源气体在氢气氛围下快速降温。

4.根据权利要求3所述的三明治式石墨烯饱和吸收体的制备方法,其特征是,所述的氢气、碳源气体的通入量分别为10-100sccm,10-300sccm。

5.根据权利要求1所述的三明治式石墨烯饱和吸收体的制备方法,其特征是,步骤(2)所述的正方形边长为10-20mm。

6.根据权利要求1所述的三明治式石墨烯饱和吸收体的制备方法,其特征是,所述的烘干均为置于100-300℃的加热板上烘烤5-50min。

7.根据权利要求1所述的三明治式石墨烯饱和吸收体的制备方法,其特征是,所述的FeCl3溶液的浓度范围为0.2-1.5mol/L。