1.一种Tb、Mn和Cu三元共掺杂的低漏电流BiFeO3薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）将硝酸铋、硝酸铁、硝酸铽、醋酸锰和硝酸铜按（0.91-0.97）:（0.96-x）:（0.08-0.14）:0.04:x的摩尔比溶于由乙二醇甲醚和醋酸酐混合而成的混合液中，然后搅拌均匀，得到BiFeO3前驱液；其中，BiFeO3前驱液中总的金属离子浓度为0.1～0.5mol/L；

x=0.01～0.02；

2）将BiFeO3前驱液旋涂在FTO/glass基片上制备湿膜，将湿膜于180～260℃烘烤得干膜，然后在550℃退火8～13min，得到晶态BiFeO3薄膜；

3）待晶态BiFeO3薄膜冷却后，再重复步骤2）使晶态BiFeO3达到所需厚度，即得到Tb、Mn和Cu三元共掺杂的低漏电流BiFeO3薄膜。

2.根据权利要求1所述的Tb、Mn和Cu三元共掺杂的低漏电流BiFeO3薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤1）混合液中的乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比为（1:1）～（4:1）。

3.根据权利要求1所述的Tb、Mn和Cu三元共掺杂的低漏电流BiFeO3薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤1）中硝酸铋、硝酸铁、硝酸铽、醋酸锰和硝酸铜的摩尔比为0.94:（0.96-x）:0.11:0.04:x。

4.根据权利要求1所述的Tb、Mn和Cu三元共掺杂的低漏电流BiFeO3薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤2）中将BiFeO3前驱液旋涂在FTO/glass基片上前，BiFeO3前驱液需静置24～32h。

5.根据权利要求1所述的Tb、Mn和Cu三元共掺杂的低漏电流BiFeO3薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤2）湿膜的烘烤时间为6～12min。

6.一种采用权利要求3所述的制备方法制备的Tb、Mn和Cu三元共掺杂的低漏电流BiFeO3薄膜，其特征在于：该Tb、Mn和Cu三元共掺杂的低漏电流BiFeO3薄膜的化学组分为Bi0.89Tb0.11Fe0.96-xMn0.04CuxO3，x=0.01～0.02，具有扭曲钙钛矿结构，属于R3c空间群，为六方-5 2结构，在300kV/cm的电场下漏电流密度保持在10 A/cm 以下，在100kHz的测试频率下介电常数为230～250。

7.根据权利要求6所述的Tb、Mn和Cu三元共掺杂的低漏电流BiFeO3薄膜，其特征在于：x=0.02，该Tb、Mn和Cu三元共掺杂的低漏电流BiFeO3薄膜的晶粒尺寸在50～80nm。