1.CMOS接触式荧光检测分析阵列传感芯片，包括芯片本体，其特征在于：所述的芯片本体包括硅衬底、SU-8厚胶、信号处理电路、光电传感阵列、有源预处理放大阵列和异步时序控制电路，所述的SU-8厚胶固定在所述的硅衬底上表面，所述的SU-8厚胶上设置至少一个荧光反应池组，每个所述的荧光反应池组由至少一个微反应池构成；位于荧光反应池组正下方的硅衬底上铺设相应的信号处理电路、光电传感阵列；所述的光电传感阵列与所述的信号处理电路之间设置金属屏蔽层；所述的光电传感阵列的信号输入端与所述的异步时序控制电路的信号输出端信号相连、所述的光电传感阵列的信号输出端与所述的有源预处理放大阵列的信号输入端相连；所述的有源预处理放大阵列的信号输出端与所述的信号处理电路的信号输入端信号连接、并且所述的信号处理电路的信号输出端与压焊块连接。

2.如权利要求1所述的CMOS接触式荧光检测分析阵列传感芯片，其特征在于：所述的光电传感阵列为与CMOS工艺兼容的PN结光电二极管形成四通道光感阵列。

3.如权利要求2所述的CMOS接触式荧光检测分析阵列传感芯片，其特征在于：所述的SU-8厚胶上设有四个对称分布的荧光反应池组，并且每个荧光反应池组均有四路微反应池对称排列。

4.如权利要求3所述的CMOS接触式荧光检测分析阵列传感芯片，其特征在于：所述的微反应池深度为100μm。