1.电流模式DC/DC转换器用低功耗电流检测电路，其特征在于：包括由电感L、PMOS晶体管P1、电阻R、电容C组成的电源支路和由电流源Ib、PNP晶体管B1、PNP晶体管B2、PNP晶体管B5、PNP晶体管B6、NMOS管N1、NMOS管N2、NMOS管N5、电阻Rsense组成的电流检测支路，所述的电容C和电阻R并联，并联后的一端接地，另一端与所述的PMOS管P1的源端相连，所述的PMOS管P1的漏端与所述的电感L的一端相连，所述的电感L的另一端与输入Vin相连，所述PMOS管P1的漏端的输出电流为IL；

所述的电流源Ib的一端接地，另一端与所述的PNP晶体管B1的集电极相连，所述的PNP晶体管B1的基极与所述的PNP晶体管B2的基极相连，所述的PNP晶体管B1、B2的发射极并联，且并联后与所述的输入Vin相连，所述的PNP晶体管B2的集电极与所述NMOS管N1的漏端相连，所述的NMOS管N1的源端与所述的NMOS管N2的漏端相连，所述的NMOS管N2的源端接地，所述的NMOS管N1、N2和N5的栅极相连，并与控制电压VQ相连，所述的NMOS管N5的源端接地，所述的NMOS管N5的漏端与所述的PNP晶体管B5的集电极相连，所述的PNP晶体管B5和B6的基极相连，所述的PNP晶体管B5和B6的发射极并联，且并联后与所述的输入Vin相连，所述的PNP晶体管B6的集电极与所述的电阻Rsense的一端相连，所述的电阻Rsense的另一端接地，所述的电阻Rsense流过电流为Isense，所述的电阻Rsense未接地的一端的输出电压为Vsense。

2.如权利要求1所述的电流模式DC/DC转换器用低功耗电流检测电路，其特征在于：

所述的电流检测电路还包括电压跟随电路，所述的电压跟随电路包括PNP晶体管B3、PNP晶体管B4、NPN晶体管B7、NPN晶体管B8和NMOS管N3、NMOS管N4，所述的PNP晶体管B2、B3、B4的基极相连，所述的PNP晶体管B3、B4的发射极并联，且并联后与所述的输入Vin相连；

所述的NPN晶体管B7的基极与集电极相连，所述的NPN晶体管B7的集电极与所述的PNP晶体管B3的集电极相连，所述的NPN晶体管B7的发射极与所述的NMOS管N3的漏端相连；

所述的NMOS管N3的漏端与所述的NMOS管N1的漏端相连，且端点电压为VA；所述的NMOS管N3的栅极与所述的NMOS管N4的栅极相连，并与控制电压 相连；所述的NMOS管N3、N4的源端并联，且接地；所述的NMOS管N4的漏端与所述的NPN晶体管B8的发射极相连，所述的NPN晶体管B8的发射极与所述的NMOS管N5的漏端相连，且端点电压为VB；所述的NPN晶体管B8的基极与所述的NPN晶体管B7的基极相连，所述的NPN晶体管B8集电极分别与所述的PNP晶体管B5的基极、所述的PNP晶体管B4的集电极相连。

3.如权利要求1或2所述的电流模式DC/DC转换器用低功耗电流检测电路，其特征在于：所述的NMOS管N2是功率MOS管，所述的NMOS管N5是传感MOS管，所述的NMOS管N2的宽长比是所述的NMOS管N5的500～2000倍。