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专利号: 2013106525704
申请人: 西安工业大学
专利类型:发明专利
专利状态:已下证
专利领域: 晶体生长〔3〕
更新日期:2024-01-05
缴费截止日期: 暂无
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摘要:

权利要求书:

1.一种定向生长单晶ZnO纳米墙的水溶液制备方法,其特征在于:

包括下述步骤:

a. ZnO种子层制备:

将摩尔比为1:1的Zn(CH3COO)2·2H2O 和Al(NO3)3.9H2O与体积比为1:1的乙二醇甲醚

2+

和乙醇组成的混合溶剂在室温条件下混合,使Zn 浓度为0.05-0.5mol/L,放在水浴锅中,用磁力搅拌器在60-80℃下加热搅拌,然后,将稳定剂乙醇胺逐滴加入到上述溶液中,直至溶液完全澄清,继续搅拌1-2h,得均匀稳定的胶体;将依次经过丙酮、乙醇溶液和去离子水超声清洗,烘干后的ITO导电玻璃基板竖直浸入溶胶中,静止15-30s;垂直取出后在100℃下干燥5-10min;反复提拉干燥4-6次以使薄膜均匀并达到理想厚度;将薄膜在400-500℃下热处理30-90min,制备得到含有种子层的玻璃基底备用;

b. ZnO纳米墙生长:

将Zn(NO3)26H2O与(CH2)6N4按摩尔比为1:1配制成0.025-0.05mol/L的溶液,60-90℃加热搅拌0.5-1h,将溶液倒入水热反应釜的聚四氟乙烯内胆中,并将含有种子层的玻璃基底垂直插入,80-100℃恒温生长1-6h;取出后用去离子水冲洗并干燥,最后放入箱式电炉中在500-550℃下热处理0.5-1.5 h;取出后,用去离子水冲洗、干燥,在ITO导电玻璃上得到一层白色薄膜。