1.一种低矫顽场的Bi0.92Dy0.08Fe1-xMnxO3铁电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步 骤 1：按 摩 尔 比 为 0.97:(1-x):0.08:x 将 Bi(NO3)3·5H2O、Fe(NO3)3·9H2O、Dy(NO3)3·6H2O和C4H6MnO4·4H2O溶于由乙二醇甲醚和醋酸酐混合而成的混合液中，搅拌均匀，得到前驱液；其中，前驱液中总的金属离子浓度为0.25～0.35mol/L，x＝0.01～

0.05；

步骤2：将前驱液旋涂在FTO/glass基片上制备湿膜，湿膜经匀胶后在180～210℃下烘烤8～12min得干膜，再在540～550℃退火7～9min，得到Bi0.92Dy0.08Fe1-xMnxO3薄膜；

步骤3：待Bi0.92Dy0.08Fe1-xMnxO3薄膜冷却后，再在Bi0.92Dy0.08Fe1-xMnxO3薄膜上重复步骤

2，使Bi0.92Dy0.08Fe1-xMnxO3薄膜达到所需厚度，即得到低矫顽场的Bi0.92Dy0.08Fe1-xMnxO3铁电薄膜。

2.根据权利要求1所述的低矫顽场的Bi0.92Dy0.08Fe1-xMnxO3铁电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤1中混合液中乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比为(2.5～3.5):1。

3.根据权利要求1或2所述的低矫顽场的Bi0.92Dy0.08Fe1-xMnxO3铁电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤1中x＝0.01、0.02、0.03或0.05。

4.根据权利要求1所述的低矫顽场的Bi0.92Dy0.08Fe1-xMnxO3铁电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤2中先将FTO/glass基片清洗、烘干，然后在紫外光下照射处理，使FTO/glass基片表面达到原子清洁度，最后再旋涂前驱液。

5.根据权利要求1或4所述的低矫顽场的Bi0.92Dy0.08Fe1-xMnxO3铁电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤2中匀胶时的匀胶速率为3800～4100r/min，匀胶时间为12～15s。

6.根据权利要求1-5中任意一项所述的低矫顽场的Bi0.92Dy0.08Fe1-xMnxO3铁电薄膜的制备方法制得的低矫顽场的Bi0.92Dy0.08Fe1-xMnxO3铁电薄膜，其特征在于：其化学式为Bi0.92Dy0.08Fe1-xMnxO3，x＝0.01～0.05；为菱方结构，空间点群为R-3m(166)，晶胞参数晶粒尺2

寸大小为30～80nm；在1kHz频率下，其剩余极化强度为58.27～69.87μC/cm，矫顽场为

318～448kV/cm，介电常数为214.4～260.6。

7.根据权利要求6所述的低矫顽场的Bi0.92Dy0.08Fe1-xMnxO3铁电薄膜，其特征在于：包括Bi0.92Dy0.08Fe0.99Mn0.01O3铁电薄膜、Bi0.92Dy0.08Fe0.98Mn0.02O3铁电薄膜、Bi0.92Dy0.08Fe0.97Mn0.03O3铁电薄膜和Bi0.92Dy0.08Fe0.95Mn0.05O3铁电薄膜；

并且Bi0.92Dy0.08Fe0.99Mn0.01O3铁电薄膜在583kV/cm的电场下，剩余极化强度为2

63.62μC/cm，矫顽场为318kV/cm，在1kHz～1MHz频率范围内，介电常数为243.1～

206.6；

Bi0.92Dy0.08Fe0.98Mn0.02O3铁电薄膜在833kv/cm的电场下，剩余极化强度为69.87μC/2

cm，矫顽场为330kv/cm，在1kHz～1MHz频率范围内，介电常数为260.6～220.69；

Bi0.92Dy0.08Fe0.97Mn0.03O3铁电薄膜在833kV/cm的电场下，剩余极化强度为58.27μC/2

cm，矫顽场为343kV/cm，在1kHz～1MHz频率范围内，介电常数为214.4～167.01；

Bi0.92Dy0.08Fe0.95Mn0.05O3铁电薄膜在917kV/cm的电场下，剩余极化强度为62.88μC/2

cm，矫顽场为448kV/cm，在1kHz～1MHz频率范围内，介电常数为232.3～164.76。