1.一种高介电常数的Bi1-xHoxFeO3铁电薄膜，其特征在于：其化学式为Bi1-xHoxFeO3，x=0.04～0.12；在1kHz下，其介电常数为199.3～299.0。

2.根据权利要求1所述的高介电常数的Bi1-xHoxFeO3铁电薄膜，其特征在于：其为扭曲的钙钛矿结构，菱形晶系，空间点群为R-3m(160)，晶胞参数a=5.5369～5.5574b=5.5369～5.5574 c=13.7625～13.8239 晶粒尺寸大小为80～140nm。

3.根据权利要求1或2所述的高介电常数的Bi1-xHoxFeO3铁电薄膜，其特征在于：

包括Bi0.96Ho0.04FeO3铁电薄膜、Bi0.92Ho0.08FeO3铁电薄膜、Bi0.90Ho0.10FeO3铁电薄膜和Bi0.88Ho0.12FeO3铁电薄膜；并且1kHz～1MHz频率下，Bi0.96Ho0.04FeO3铁电薄膜的介电常数为

184.5～199.3，Bi0.92Ho0.08FeO3铁电薄膜的介电常数为212.7～257.1，Bi0.90Ho0.10FeO3铁电薄膜的介电常数为200.7～287.5，Bi0.88Ho0.12FeO3铁电薄膜的介电常数为222.8～299.0。

4.一种如权利要求1-3中任意一项所述的高剩余极化强度的Bi1-xHoxFeO3铁电薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：按摩尔比为(1.05-x):1:x将Bi(NO3)3·5H2O、Fe(NO3)3·9H2O和Ho(NO3)3·6H2O溶于由乙二醇甲醚和醋酸酐混合而成的混合液中，搅拌均匀，得到前驱液；其中，前驱液中总的金属离子浓度为0.003～0.3mol/L，x=0.04～0.12；

步骤2：将前驱液旋涂在FTO/glass基片上制备湿膜，湿膜经匀胶后在180～200℃下烘烤得干膜，再在500～580℃退火，得到Bi1-xHoxFeO3薄膜；

步骤3：待Bi1-xHoxFeO3薄膜冷却后，再在Bi1-xHoxFeO3薄膜上重复步骤2，使Bi1-xHoxFeO3薄膜达到所需厚度，即得到高介电常数的Bi1-xHoxFeO3薄膜。

5.根据权利要求4所述的高介电常数的Bi1-xHoxFeO3薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤1中混合液中乙二醇甲醚和醋酸酐的体积比为(2.5～3.5):1。

6.根据权利要求4或5所述的高介电常数的Bi1-xHoxFeO3薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤1中x=0.04、0.08、0.10或0.12。

7.根据权利要求4所述的高介电常数的Bi1-xHoxFeO3薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤2中先将FTO/glass基片清洗、烘干，然后在紫外光下照射处理，使FTO/glass基片表面达到原子清洁度，最后再旋涂前驱液。

8.根据权利要求4或7所述的高介电常数的Bi1-xHoxFeO3铁电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤2中匀胶时的匀胶速率为3800～4100r/min，匀胶时间为12～20s。

9.根据权利要求4或7所述的高介电常数的Bi1-xHoxFeO3铁电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤2中匀胶后的烘烤时间为8～12min。

10.根据权利要求4或7所述的高介电常数的Bi1-xHoxFeO3铁电薄膜的制备方法，其特征在于：所述的步骤2中退火时间为10～15min。