1.一种基于摩擦诱导选择性刻蚀的氮化硅膜/硅微纳米加工方法，其具体操作步骤依次为：A、将尖端为球状的探针安装在扫描探针显微镜或多点接触微纳米加工设备上，再将清洗过的氮化硅薄膜/单晶硅基底固定在样品台上，启动设备，控制探针按照设定的法向载荷和预定轨迹在氮化硅薄膜/单晶硅基底表面进行刻划；

B、将刻划后的氮化硅薄膜/单晶硅基底置于质量浓度为1-5%的HF溶液中刻蚀30-50分钟；

C、将异丙醇加入到质量浓度为10-25%的KOH溶液中得混合溶液，加入时异丙醇与KOH溶液的体积比为1:4-6；再将B步刻蚀后的氮化硅薄膜/单晶硅基底置于混合溶液中刻蚀

2-60分钟；

D、将C步刻蚀后的氮化硅薄膜/单晶硅基底重新置于1-5%的HF溶液中刻蚀10-20分钟，即可。