1.一种基于摩擦化学诱导刻蚀的单晶硅表面无损伤纳米加工方法，其具体操作步骤依次为：

A、将质量浓度为98%的H2SO4溶液和质量浓度为30%的H2O2溶液按7:2-3的体积比混合得到混合溶液；将混合溶液加热到80-90℃；再将HF溶液钝化处理过的单晶硅置于混合溶液中处理25-35分钟，使其表面上生长出SiOx薄层；然后将生长有SiOx薄层的单晶硅取出，并清洗；

B、将尖端呈球状的二氧化硅探针安装在扫描探针显微镜上，将A步得到的单晶硅固定在样品台上，启动设备，控制探针以1GPa的接触压力、按照设定的扫描轨迹在样品表面进行扫描，使扫描区域的SiOx薄层被去除，基底暴露；

C、将异丙醇加入到质量浓度为10-25%的KOH溶液中得混合溶液，加入时异丙醇与KOH溶液的体积比为1:4-6；将B步处理后的单晶硅置于混合溶液中刻蚀2-60分钟。